هڪ MOSFET ڇا آهي؟ مکيه پيراگراف ڇا آهن؟

جڏهن ٺهيل هڪ سوئچنگ پاور سپلائي يا موٽر ڊرائيو سرڪٽ استعمال ڪنديMOSFETs، عنصر جهڙوڪ مزاحمت، وڌ ۾ وڌ وولٹیج، ۽ MOS جي وڌ ۾ وڌ موجوده عام طور تي سمجهيا وڃن ٿا.

MOSFET ٽيوب FET جو ھڪڙو قسم آھي جنھن کي يا ته وڌائي سگھجي ٿو يا گھٽائڻ واري قسم، P-channel يا N-channel مجموعي طور تي 4 قسمن لاء. واڌارو NMOSFETs ۽ واڌارو PMOSFETs عام طور تي استعمال ٿيندا آھن، ۽ انھن ٻنھي جو ذڪر عام طور تي ڪيو ويندو آھي.

اهي ٻه وڌيڪ عام طور تي استعمال ڪيا ويا آهن NMOS. ان جو سبب اهو آهي ته conductive مزاحمت ننڍي ۽ آسان بڻائي ٿي. تنهن ڪري، NMOS عام طور تي سوئچنگ پاور سپلائي ۽ موٽر ڊرائيو ايپليڪيشنن ۾ استعمال ٿيندو آهي.

MOSFET جي اندر، هڪ thyristor ڊرين ۽ ماخذ جي وچ ۾ رکيل آهي، جيڪو تمام ضروري آهي ڊرائيونگ لوڊ لوڊ ڪرڻ جهڙوڪ موٽر، ۽ صرف هڪ MOSFET ۾ موجود آهي، عام طور تي هڪ مربوط سرڪٽ چپ ۾ نه.

MOSFET جي ٽن پنن جي وچ ۾ Parasitic capacitance موجود آهي، نه ته اسان کي ان جي ضرورت آهي، پر پيداوار جي عمل جي حدن جي ڪري. پارسياتي ظرفيت جي موجودگي ان کي وڌيڪ مشڪل بڻائي ٿي جڏهن ڊرائيور سرڪٽ کي ڊزائين ڪرڻ يا چونڊيو، پر ان کان بچي نٿو سگهجي.

جي مکيه پيراگرافMOSFET

1، کليل وولٹیج VT

اوپن وولٽيج (جنهن کي حد جي وولٽيج جي نالي سان پڻ سڃاتو وڃي ٿو): انهي ڪري ته دروازن جي وولٽيج جي ضرورت آهي هڪ ڪنڊڪٽي چينل ٺاهڻ شروع ڪرڻ لاءِ ماخذ S ۽ drain D جي وچ ۾؛ معياري اين چينل MOSFET، VT اٽڪل 3 ~ 6V آهي؛ عمل جي بهتري جي ذريعي، MOSFET VT قدر کي گھٽائي سگھجي ٿو 2 ~ 3V.

2، ڊي سي ان پٽ مزاحمت RGS

دروازي جي ماخذ قطب ۽ گيٽ ڪرنٽ جي وچ ۾ شامل ڪيل وولٽيج جو تناسب هي خصوصيت ڪڏهن ڪڏهن دروازي مان وهندڙ گيٽ ڪرنٽ ذريعي ظاهر ڪئي ويندي آهي، MOSFET جي RGS آساني سان 1010Ω کان وڌي سگهي ٿي.

3. درين جو ذريعو breakdown BVDS voltage.

VGS = 0 (وڌايل) جي حالت ۾، ڊرين سورس وولٽيج وڌائڻ جي عمل ۾، ID تيزيءَ سان وڌي ٿو جڏهن VDS کي drain-source breakdown voltage BVDS سڏيو وڃي ٿو، ID ٻن سببن جي ڪري تيزيءَ سان وڌي ٿو: (1) برفاني طوفان ڊرين جي ويجھو گھٽتائي واري پرت جي ڀڃڪڙي، (2) نالي ۽ ماخذ قطب جي وچ ۾ دخول خرابي، ڪجھ MOSFETs، جن جي خندق جي ڊگھائي گھٽ آھي، VDS وڌائين ٿيون ته جيئن ڊرين واري علائقي ۾ ڊرين جي پرت کي ماخذ واري علائقي ڏانھن وڌايو وڃي، جنھن سان چينل جي ڊگھائي صفر ٿي وڃي، يعني ڊرين ماخذ جي دخول، دخول، گھڻا گھڻا. منبع واري علائقي ۾ ڪيريئرز سڌو سنئون ڊليشن پرت جي اليڪٽرڪ فيلڊ ذريعي ڊرين واري علائقي ڏانهن متوجه ٿيندا، نتيجي ۾ هڪ وڏي ID.

4، دروازي جو ذريعو ٽوڙڻ وولٹیج BVGS

جڏهن دروازي جي وولٹیج کي وڌايو ويندو آهي، VGS جڏهن IG کي صفر کان وڌايو ويندو آهي دروازي جو ذريعو بريڪ ڊائون وولٹیج BVGS سڏيو ويندو آهي.

5،گھٽ فریکوئنسي ٽرانسڪشن

جڏهن VDS هڪ مقرر ڪيل قيمت آهي، ته دروازي جي ماخذ وولٹیج جي مائڪرو ويريشن جي وچ ۾ نچڻ جي مائڪرو ويريشن جو تناسب جيڪو تبديلي جو سبب بڻائيندو آهي، ان کي ٽرانسڪڊڪٽنس سڏيو ويندو آهي، جيڪو دروازن جي ماخذ وولٹیج جي صلاحيت کي ظاهر ڪري ٿو، جيڪو ڊرين ڪرنٽ کي ڪنٽرول ڪري ٿو. اهم پيٽرولر جيڪو نمايان ڪري ٿو وڌائڻ جي صلاحيتMOSFET.

6، مزاحمت تي RON

آن-مزاحمتي RON ID تي VDS جو اثر ڏيکاري ٿو، هڪ خاص نقطي تي ڊرين جي خاصيتن جي ٽينجنٽ لائن جي سلپ جو معکوس آهي، سنترپت واري علائقي ۾، ID تقريبن VDS سان تبديل نٿو ٿئي، RON تمام وڏو آهي. قدر، عام طور تي ڏهن ڪلو-آهمس کان وٺي سئو ڪلو-اوهم تائين، ڇاڪاڻ ته ڊجيٽل سرڪٽس ۾، MOSFETs اڪثر ڪم ڪن ٿا ڪنڊڪٽيو جي حالت ۾ VDS = 0، تنهن ڪري هن نقطي تي، مزاحمتي RON کي RON جي اصليت جي لحاظ کان تقريباً، عام MOSFET لاءِ، RON جي قيمت ڪجهه سؤ اوهام اندر ٿي سگهي ٿي.

7، بين قطبي ڪيپيسيٽينس

Interpolar capacitance ٽن اليڪٽروڊس جي وچ ۾ موجود آهي: گيٽ سورس ڪيپيسيٽينس CGS، گيٽ ڊرين ڪيپيسيٽينس CGD ۽ drain source capacitance CDS-CGS ۽ CGD اٽڪل 1 ~ 3pF آهي، CDS اٽڪل 0.1 ~ 1pF آهي.

8،گھٽ تعدد شور عنصر

شور پائپ لائن ۾ ڪيريئر جي حرڪت ۾ بي ضابطگين جي ڪري آهي. ان جي موجودگي جي ڪري، غير منظم وولٽيج يا موجوده تغيرات ان پٽ تي ٿينديون آهن جيتوڻيڪ اتي ايمپليفائر طرفان ڪو به سگنل نه ڏنو ويو آهي. شور ڪارڪردگي عام طور تي شور عنصر NF جي لحاظ کان بيان ڪيو ويندو آهي. يونٽ ڊيسيبل (dB) آهي. جيتري قدر ننڍي هوندي، اوترو گهٽ شور ٽيوب پيدا ڪندو. گھٽ فريڪوئنسي شور جو عنصر گھٽ فريڪوئنسي رينج ۾ ماپيل شور جو عنصر آھي. فيلڊ اثر واري ٽيوب جو شور عنصر ڪجھ ڊي بي بابت آهي، جيڪو بائيپولر ٽريوڊ کان گهٽ آهي.