MOSFETs تي هڪ نظر وٺو

MOSFETs insulating MOSFETs integrated circuits.MOSFETs، هڪ بنيادي ڊوائيسز جي طور تي.سيمي ڪنڊيڪٽر فيلڊ، وڏي پيماني تي استعمال ٿيل آهن بورڊ-سطح سرڪٽ ۾ ۽ گڏوگڏ IC ڊيزائن ۾.MOSFETs مٽائي سگھجن ٿا، ۽ P-قسم جي پٺاڻ ۾ N-قسم واري علائقي سان ٺھيل آھن. عام طور تي، ٻه ذريعا قابل مٽا سٽا هوندا آهن، ٻئي هڪ N-قسم واري علائقي ۾ ٺاهيندا آهنپي-قسم جي پٺاڻ. عام طور تي، اهي ٻه علائقا ساڳيا آهن، ۽ جيتوڻيڪ اهي ٻه حصا تبديل ڪيا ويا آهن، ڊوائيس جي ڪارڪردگي متاثر نه ٿيندي. تنهن ڪري، ڊوائيس سمي طور سمجهيو ويندو آهي.

اصول:

MOSFET "Induced charge" جي مقدار کي ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ VGS استعمال ڪري ٿو ته جيئن انهن "Induced charges" ذريعي ٺاهيل conductive چينل جي حالت کي تبديل ڪري، جيڪو ڊرين ڪرنٽ کي ڪنٽرول ڪري سگهي. جڏهن MOSFETs ٺاهيا ويندا آهن، مثبت آئنز جو هڪ وڏو تعداد خاص عملن جي ذريعي موصلي واري پرت ۾ ظاهر ٿيندو آهي، انهي ڪري ته وڌيڪ منفي چارجز انٽرفيس جي ٻئي پاسي محسوس ڪري سگهجن ٿيون، ۽ اعلي-پارميائيبلٽي جي ن-ريجن سان ڳنڍيل آهي. اهي منفي چارجز، ۽ ڪنڊڪٽو چينل ٺهي ٿو، ۽ هڪ نسبتاً وڏو ڊرين ڪرنٽ، ID، پيدا ٿئي ٿو جيتوڻيڪ VGS 0 آهي. جيڪڏهن دروازي وولٹیج کي تبديل ڪيو ويو آهي، چينل ۾ حوصلا افزائي چارج جي مقدار پڻ تبديل ٿي ويندي آهي، ۽ conductive چينل جي چوٽي ساڳئي حد تائين تبديل ٿي ويندي آهي. جيڪڏهن گيٽ وولٽيج تبديل ٿئي ٿي، چينل ۾ مبني چارج جي مقدار پڻ تبديل ٿي ويندي، ۽ هلائڻ واري چينل ۾ ويڪر پڻ تبديل ٿي ويندي، تنهنڪري دروازي جي موجوده ID دروازي جي وولٽيج سان گڏ تبديل ٿي ويندي.

ڪردار:

1. ان کي لاڳو ڪري سگھجي ٿو ايمپليفائر سرڪٽ تي. ڇاڪاڻ ته MOSFET ايمپليفائر جي اعلي ان پٽ رڪاوٽ جي ڪري، ملائڻ جي گنجائش ننڍا ٿي سگهي ٿي ۽ اليڪٽرولائيٽڪ ڪيپيسٽر استعمال نٿا ڪري سگهن.

هاء ان پٽ impedance impedance تبديلي لاء مناسب آهي. اهو اڪثر ڪري گھڻ-اسٽيج amplifiers جي ان پٽ اسٽيج ۾ impedance تبادلي لاء استعمال ڪيو ويندو آهي.

3، اهو variable resistor طور استعمال ڪري سگهجي ٿو.

4، هڪ اليڪٽرانڪ سوئچ طور استعمال ڪري سگهجي ٿو.

MOSFETs هاڻي ايپليڪيشنن جي وسيع رينج ۾ استعمال ڪيا ويا آهن، جن ۾ ٽيليويزن ۾ اعلي فريڪوئنسي هيڊ ۽ سوئچنگ پاور سپلائي شامل آهن. اڄڪلهه، بائيپولر عام ٽرانزسٽرز ۽ ايم او ايس گڏجي گڏ ڪيا ويا آهن ته جيئن IGBT (Insulated gate bipolar transistor) ٺاهيو وڃي، جيڪو وڏي پئماني تي استعمال ڪيو ويندو آهي اعلي طاقت وارن علائقن ۾، ۽ MOS انٽيگريٽيڊ سرڪٽ ۾ گهٽ بجلي جي استعمال جي خاصيت آهي، ۽ هاڻي سي پي يوز وڏي پيماني تي استعمال ڪيا ويا آهن. MOS سرڪٽس.