MOSFETs جي ماپ جو تجزيو ۽ ماپ

اتي ڪيترائي قسم جا بنيادي پيٽرول آھنMOSFET، جنهن ۾ ڊي سي ڪرنٽ، اي سي ڪرنٽ پيرا ميٽرز ۽ حد جا پيرا ميٽر شامل آهن، پر عام ايپليڪيشن کي صرف هيٺين بنيادي پيرا ميٽرن جو خيال رکڻ جي ضرورت آهي: ليڪيج ماخذ جي سنترپت حالت موجوده IDSS پنچ آف وولٽيج اپ، ٽرانسڪنڊڪٽينس گرام، لڪيج سورس بريڪ ڊائون وولٽيج BUDS، وڏي نقصان جي پيداوار پاور PDSM ۽ وڏي رسي جو ذريعو موجوده IDSM.

1. Saturated ليڪ جو ذريعو موجوده

Saturated drain-source current IDSS جو مطلب آهي drain-source current at gate voltage UGS = 0 جنڪشن ۾ يا depletion type insulated-layer gate MOSFETs.

2. ڪلپ-بند وولٹیج

پنچ آف وولٹیج UP جو مطلب آھي گيٽ وولٽيج آپريٽنگ وولٽيج جنڪشن ۾ يا ختم ٿيڻ واري قسم جي موصلي واري پرت گيٽMOSFETجيڪو ڊرين جو ذريعو صرف ڪٽ ڪري ٿو. ڄاڻو ته ڇا IDSS ۽ UP اصل ۾ مطلب آهي.

3، وولٹیج کي چالو ڪريو

ٽرن آن وولٽيج UT جو مطلب آهي دروازي جي وولٽيج آپريٽنگ وولٽيج هڪ مضبوط ٿيل موصل-دروازو MOSFET ۾ ته جيئن ڊرين-ذريعو هڪ ٻئي سان ڳنڍڻ کي صرف آن ڪيو وڃي. سمجھو ته UT جو اصل مطلب ڇا آھي.

4. ڪراس-هدايت

ٽرانس گائيڊ گيم استعمال ڪيو ويندو آھي گيٽ سورس وولٹیج جي صلاحيت کي ظاھر ڪرڻ لاءِ ڊرين ڪرنٽ کي ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ، يعني ڊرين ڪرنٽ جي تبديلي ۽ گيٽ سورس وولٹیج جي تبديلي جي وچ ۾ تناسب.

5، پيداوار جي طاقت جو وڌ ۾ وڌ نقصانr

وڌ ۾ وڌ نقصان جي پيداوار جي طاقت پڻ حد جي پيٽرولر سان تعلق رکي ٿي، جنهن جو مطلب آهي وڌ ۾ وڌ ڊرين-ذريعو نقصان جي طاقت جيڪا اجازت ڏئي سگهجي ٿي جڏهن ڪارڪردگيMOSFETعام ۽ غير متاثر ٿيل آهي. جڏهن اسان MOSFET استعمال ڪريون ٿا، ان جو فنڪشنل نقصان PDSM کان گهٽ هجڻ گهرجي ۽ هڪ خاص قدر.

6، وڌ ۾ وڌ رسي جو ذريعو موجوده

وڌ ۾ وڌ ڊرين ماخذ موجوده، IDSM، پڻ ھڪڙو محدود پيٽرولر آھي، جنھن جو مطلب آھي وڌ ۾ وڌ ڪرنٽ جيڪو عام آپريشن دوران MOSFET جي نالن ۽ ماخذ جي وچ ۾ گذرڻ جي اجازت آھي، ۽ ان کان وڌيڪ نه ٿيڻ گھرجي جڏھن MOSFET آپريشن ۾ ھجي.

اولوڪي ايشيا ۾ هڪ بهترين ۽ تيز ترين وڌندڙ ايجنٽ بڻجي چڪو آهي فعال مارڪيٽ جي ترقي ۽ مؤثر وسيلن جي انضمام ذريعي، ۽ دنيا ۾ سڀ کان وڌيڪ قيمتي ايجنٽ بڻجڻ اولوڪي جو گڏيل مقصد آهي.