هڪ inverter جي MOSFET ۾ گرمي جا سبب ڇا آهن؟

انورٽر جيMOSFETsسوئچنگ حالت ۾ هلن ٿا ۽ ٽيوب ذريعي وهندڙ ڪرنٽ تمام گهڻو آهي. جيڪڏهن ٽيوب صحيح طور تي منتخب نه ڪئي وئي آهي، ڊرائيونگ وولٹیج جي طول و عرض ڪافي وڏي نه آهي يا سرڪٽ جي گرمي جو خاتمو سٺو ناهي، اهو ٿي سگهي ٿو MOSFET کي گرم ڪرڻ جو سبب.

 

1، inverter MOSFET گرمائش سنگين آهي، MOSFET چونڊ تي ڌيان ڏيڻ گهرجي

MOSFET سوئچنگ جي حالت ۾ انورٽر ۾، عام طور تي ان جي ڊرين ڪرنٽ کي جيترو ٿي سگھي وڏو، آن-مزاحمت جيترو ممڪن ٿي سگھي، گھٽجي سگھي ٿو، جيڪو ٽيوب جي سنترپشن وولٹیج ڊراپ کي گھٽائي سگھي ٿو، ان ڪري استعمال کان وٺي ٽيوب کي گھٽائي، گرمي گھٽائي ٿي.

MOSFET مينوئل چيڪ ڪريو، اسان کي معلوم ٿيندو ته MOSFET جي جيتري وڌيڪ برداشت واري وولٽيج ويليو، اوتري وڌيڪ ان جي آن-مزاحمتي، ۽ جن وٽ ٽيوب جي تيز ڊرين ڪرنٽ ۽ گھٽ ويٽسٽ وولٽيج ويليو آهي، ان جي آن-مزاحمت عام طور تي ڏهن کان گهٽ هوندي آهي. milliohms

5A جي لوڊ ڪرنٽ کي فرض ڪندي، اسان عام طور تي استعمال ٿيندڙ MOSFET RU75N08R کي انورٽر چونڊون ٿا ۽ 500V 840 جي وولٽيج کي برداشت ڪري سگھي ٿو، انهن جو ڊرين ڪرنٽ 5A يا ان کان وڌيڪ آهي، پر ٻن ٽيوبن جي آن رزسٽنس مختلف آهي، ساڳي ڪرنٽ کي ڊرائيو ڪريو. انهن جي گرمي جو فرق تمام وڏو آهي. 75N08R آن-مزاحمت صرف 0.008Ω آهي، جڏهن ته 840 جي آن-مزاحمت 0.85Ω آهي، جڏهن ٽيوب ذريعي وهندڙ لوڊ موجوده 5A آهي، 75N08R ٽيوب وولٹیج ڊراپ صرف 0.04V آهي، هن وقت، MOSFET ٽيوب آهي. صرف 0.2W، جڏهن ته 840 ٽيوب وولٽيج ڊراپ 4.25W تائين ٿي سگهي ٿو، ٽيوب جو استعمال 21.25W جيترو آهي. ان مان اهو ڏسي سگهجي ٿو ته، انورٽر جي MOSFET جي آن رزسٽنٽ جيترو ننڍو هوندو اوترو ئي بهتر هوندو آهي، ٽيوب جي آن-مزاحمتي وڏي هوندي آهي، ٽيوب جي واهپو تيز ڪرنٽ هيٺ هوندي آهي، انورٽر جي MOSFET جي آن-مزاحمت جيترو ننڍو هوندو آهي. جيترو ٿي سگهي.

 

2، ڊرائيونگ وولٹیج جي طول و عرض جي ڊرائيونگ سرڪٽ ڪافي وڏي نه آهي

MOSFET هڪ وولٹیج ڪنٽرول ڊيوائس آهي، جيڪڏهن توهان ٽيوب جي واپرائڻ کي گهٽائڻ چاهيو ٿا، گرمي کي گهٽائڻ،MOSFETگيٽ ڊرائيو وولٽيج جي طول و عرض ايتري وڏي هجڻ گهرجي ته پلس جي ڪنڊ کي سڌو ۽ سڌو هلائڻ لاء، توهان ٽيوب وولٽيج ڊراپ کي گهٽائي، ٽيوب واپرائڻ کي گهٽائي سگهو ٿا.

 

3، MOSFET گرمي پد dissipation سٺو سبب نه آهي

انورٽرMOSFETگرمائش سنجيده آهي. جيئن ته انورٽر MOSFET توانائي جو استعمال وڏو آهي، ان ڪري ڪم لاءِ عام طور تي هيٽ سِنڪ جي وڏي خارجي علائقي جي ضرورت هوندي آهي، ۽ خارجي هيٽسڪ ۽ MOSFET پاڻ هيٽسڪ جي وچ ۾ ويجھي رابطي ۾ هجن (عام طور تي گرميءَ سان هلندڙ سِلڪون گريس سان ليپ ٿيڻ جي ضرورت آهي. )، جيڪڏهن خارجي هيٽ سِنڪ ننڍو آهي، يا MOSFET جي پنهنجي هيٽ سِنڪ سان رابطو ڪافي ويجهو نه آهي، ته شايد ٽيوب جي گرمائش جو سبب بڻجي سگهي ٿي.

 

Inverter MOSFET گرمائش سنگين اتي خلاصو لاء چار سبب آهن.

MOSFET معمولي گرمائش هڪ عام رجحان آهي، پر شديد گرمي، جيتوڻيڪ ٽيوب کي ساڙيو وڃي ٿو، هيٺيان چار سبب آهن:

 

1، سرڪٽ ڊيزائن جو مسئلو

MOSFET کي ڪم ڪرڻ ڏيو لڪير واري آپريٽنگ حالت ۾، بلڪه سوئچنگ سرڪٽ جي حالت ۾. اهو پڻ MOSFET گرمي جي سببن مان هڪ آهي. جيڪڏهن N-MOS سوئچنگ ڪري رهيو آهي، G-سطح جي وولٽيج کي مڪمل طور تي آن ٿيڻ لاءِ پاور سپلائي کان ڪجهه V وڌيڪ هجڻ گهرجي، جڏهن ته P-MOS ان جي برعڪس آهي. مڪمل طور تي کليل نه آهي ۽ وولٽيج ڊراپ تمام وڏو آهي جنهن جي نتيجي ۾ بجلي جو استعمال، برابر DC رڪاوٽ وڏي آهي، وولٽيج ڊراپ وڌي ٿو، تنهنڪري U * I پڻ وڌي ٿو، نقصان جو مطلب آهي گرمي. هي سرڪٽ جي ڊزائن ۾ سڀ کان وڌيڪ بچاء واري غلطي آهي.

 

2، تمام گهڻي تعدد

بنيادي سبب اهو آهي ته ڪڏهن ڪڏهن حجم جي گهڻي تعاقب جي نتيجي ۾، وڌايل تعدد جي نتيجي ۾، MOSFET وڏي تي نقصان پهچائي ٿو، تنهنڪري گرمي پڻ وڌي وئي آهي.

 

3، ڪافي نه حرارتي ڊيزائن

جيڪڏهن موجوده تمام گهڻي آهي، MOSFET جي نامياري موجوده قيمت، عام طور تي حاصل ڪرڻ لاء سٺو گرمي جي تقسيم جي ضرورت آهي. تنهن ڪري ID وڌ ۾ وڌ موجوده کان گهٽ آهي، اهو پڻ خراب ٿي سگهي ٿو گرم ٿي سگهي ٿو، ڪافي مددگار گرمي سنڪ جي ضرورت آهي.

 

4، MOSFET چونڊ غلط آهي

طاقت جو غلط فيصلو، MOSFET اندروني مزاحمت کي مڪمل طور تي نه سمجهيو ويو آهي، جنهن جي نتيجي ۾ وڌندي سوئچنگ جي رڪاوٽ.