MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistors) جي آپريشنل اصولن کي سمجھڻ ان اعليٰ ڪارڪردگيءَ واري اليڪٽرانڪ حصن کي مؤثر طريقي سان استعمال ڪرڻ لاءِ ضروري آھي. MOSFETs اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۾ لازمي عناصر آهن، ۽ انهن کي سمجهڻ ضروري آهي ٺاهيندڙن لاء.
عملي طور تي، اهڙا ٺاهيندڙ آهن جيڪي شايد مڪمل طور تي MOSFETs جي مخصوص افعال کي انهن جي ايپليڪيشن دوران ساراه نه ڪن. تنهن هوندي به، اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۾ MOSFETs جي ڪم ڪندڙ اصولن ۽ انهن جي لاڳاپيل ڪردارن کي سمجهڻ سان، هڪ حڪمت عملي طور تي سڀ کان وڌيڪ موزون MOSFET چونڊيندو، ان جي منفرد خاصيتن ۽ پيداوار جي مخصوص خاصيتن کي نظر ۾ رکندي. اهو طريقو پيداوار جي ڪارڪردگي کي وڌائي ٿو، مارڪيٽ ۾ ان جي مقابلي کي وڌايو.
WINSOK SOT-23-3 پيڪيج MOSFET
MOSFET ڪم ڪرڻ جا اصول
جڏهن MOSFET جو گيٽ-ذريعو وولٽيج (VGS) صفر آهي، جيتوڻيڪ ڊرين-ذريعو وولٹیج (VDS) جي درخواست سان، اتي هميشه هڪ PN جنڪشن هوندو آهي ريورس تعصب ۾، جنهن جي نتيجي ۾ ڪو به هلندڙ چينل (۽ ڪو به موجوده) نه هوندو آهي. MOSFET جو پاڻي ۽ ذريعو. هن حالت ۾، MOSFET جي موجوده (ID) جو نالو صفر آهي. دروازي ۽ ماخذ (VGS > 0) جي وچ ۾ مثبت وولٽيج لاڳو ڪرڻ سان MOSFET جي دروازي ۽ سلکان سبسٽرٽ جي وچ ۾ SiO2 موصلي واري پرت ۾ هڪ برقي ميدان پيدا ٿئي ٿو، دروازي کان P-قسم جي سلڪون سبسٽريٽ جي طرف هدايت ڪئي وئي آهي. ڏنو ويو آهي ته آڪسائيڊ پرت موصل آهي، دروازي تي لاڳو ٿيل وولٹیج، VGS، MOSFET ۾ ڪرنٽ پيدا نٿو ڪري سگهي. ان جي بدران، اهو آڪسائيڊ پرت ۾ هڪ ڪئپسيٽر ٺاهيندو آهي.
جيئن ته VGS آهستي آهستي وڌي ٿو، ڪيپيسيٽر چارج ڪري ٿو، هڪ برقي ميدان ٺاهي ٿو. دروازي تي مثبت وولٽيج جي طرف متوجه ٿي، ڪيپيسيٽر جي ٻئي پاسي ڪيترائي اليڪٽران گڏ ٿين ٿا، MOSFET ۾ نالن کان ماخذ تائين هڪ N-قسم جي چالاڪ چينل ٺاهي ٿو. جڏهن VGS حد کان وڌي ٿو وولٽيج VT (عام طور تي 2V جي چوڌاري)، MOSFET جو N-چينل هلائي ٿو، موجوده ID جي وهڪري کي شروع ڪندي. دروازي جو ذريعو وولٹیج جنهن تي چينل ٺهڻ شروع ٿئي ٿو ان کي حد وولٹیج VT سڏيو ويندو آهي. VGS جي شدت کي ڪنٽرول ڪرڻ سان، ۽ نتيجي ۾ برقي ميدان، MOSFET ۾ ڊيل موجوده ID جي ماپ کي ماڊل ڪري سگھجي ٿو.
WINSOK DFN5x6-8 پيڪيج MOSFET
MOSFET ايپليڪيشنون
MOSFET پنهنجي بهترين سوئچنگ خاصيتن جي ڪري مشهور آهي، جنهن جي ڪري سرڪٽس ۾ ان جي وسيع ايپليڪيشن کي برقي سوئچز جي ضرورت هوندي آهي، جهڙوڪ سوئچ موڊ پاور سپلائيز. گھٽ-وولٽيج ايپليڪيشنن ۾ 5V پاور سپلائي استعمال ڪندي، روايتي ڍانچي جي استعمال جي نتيجي ۾ بائيپولر جنڪشن ٽرانزسٽر (اٽڪل 0.7V) جي بيس ايميٽر جي پار وولٽيج ڊراپ ٿئي ٿو، صرف 4.3V ڇڏي ٿو آخري وولٽيج لاءِ جيڪو 5V جي دروازي تي لاڳو ٿئي ٿو. MOSFET. اهڙين حالتن ۾، 4.5V جي نامياري دروازي جي وولٽيج سان MOSFET کي چونڊڻ ڪجهه خطرن کي متعارف ڪرايو آهي. اهو چئلينج پڻ ايپليڪيشنن ۾ ظاهر ٿئي ٿو جنهن ۾ 3V يا ٻيون گهٽ-وولٽيج پاور سپلائي شامل آهن.
پوسٽ جو وقت: آڪٽوبر-27-2023
