MOSFETsڪردار ادا ڪرڻسوئچنگ سرڪٽ ۾سرڪٽ کي ڪنٽرول ڪرڻ ۽ بند ڪرڻ ۽ سگنل جي تبديلي کي.MOSFETs وسيع طور تي ٻن ڀاڱن ۾ ورهائي سگھجي ٿو: N-channel ۽ P-channel.
اين چينل ۾MOSFETسرڪٽ، BEEP پن بزر جي جواب کي چالو ڪرڻ لاءِ اعليٰ آھي ۽ بزر کي بند ڪرڻ لاءِ گھٽ آھي. پي چينلMOSFETGPS ماڊل پاور سپلائي کي آن ۽ آف ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ، GPS_PWR پن گھٽ هوندو آهي جڏهن آن هجي، GPS ماڊل آهي عام بجلي جي فراهمي، ۽ اعلي GPS ماڊل پاور آف ڪرڻ لاءِ.
پي چينلMOSFETN-type silicon substrate ۾ P + علائقي تي ٻه آھن: drain ۽ Source. اهي ٻئي قطب هڪ ٻئي لاءِ ڪنڊڪٽو نه هوندا آهن، جڏهن گرائونڊ ڪرڻ وقت ماخذ ۾ ڪافي مثبت وولٽيج شامل ڪيو ويندو آهي، ته دروازي جي هيٺان N-قسم جي سلڪون مٿاڇري هڪ P-قسم جي انورس پرت جي طور تي نڪرندي، هڪ چينل ۾ داخل ٿيندي، جيڪو ڊرين ۽ ماخذ کي ڳنڍيندو آهي. . دروازي تي وولٹیج کي تبديل ڪرڻ چينل ۾ سوراخ جي کثافت کي تبديل ڪري ٿو، اهڙيء طرح چينل جي مزاحمت کي تبديل ڪندي. هن کي سڏيو ويندو آهي P-channel enhancement field effect transistor.
NMOS خاصيتون، Vgs جيستائين ھڪڙي خاص قدر کان وڌيڪ ھوندي، منبع گرائونڊ ٿيل گھٽ-آخر ڊرائيو ڪيس تي لاڳو ٿيندي، مهيا ڪئي وئي ته لائين تي 4V يا 10V جي دروازي جي وولٹیج.
PMOS جون خاصيتون، NMOS جي برعڪس، تيستائين هلنديون جيستائين Vgs هڪ خاص قدر کان گهٽ هجي، ۽ اهو استعمال لاءِ موزون آهي هاءِ اينڊ ڊرائيو جي صورت ۾ جڏهن ذريعو VCC سان ڳنڍيل هجي. تنهن هوندي، متبادل قسمن جي ننڍڙي تعداد جي ڪري، اعلي مزاحمت ۽ اعلي قيمت، جيتوڻيڪ PMOS تمام آسانيء سان استعمال ڪري سگهجي ٿو اعلي-آخر ڊرائيو جي صورت ۾، تنهنڪري اعلي-آخر ڊرائيو ۾، عام طور تي اڃا تائين NMOS استعمال ڪريو.
مجموعي طور،MOSFETsاعليٰ انپٽ مائپيڊنس، سرڪٽس ۾ سڌي سنئين ڪپلنگ کي آسان بڻائي، ۽ وڏي پيماني تي انٽيگريٽڊ سرڪٽس ۾ ٺاھڻ نسبتاً آسان آھن.
پوسٽ جو وقت: جولاء-20-2024
