سيمي ڪنڊڪٽر فيلڊ ۾ سڀ کان وڌيڪ بنيادي ڊوائيسز جي طور تي، MOSFETs وڏي پيماني تي استعمال ڪيا ويا آهن ٻنهي IC ڊيزائن ۽ بورڊ-سطح سرڪٽ ۾. في الحال، خاص طور تي اعلي-پاور semiconductors جي ميدان ۾، MOSFETs جي مختلف ڍانچي جو هڪ قسم به هڪ irreplaceable ڪردار ادا ڪري. لاءِMOSFETs، جنهن جي جوڙجڪ کي هڪ ۾ سادي ۽ پيچيده جو مجموعو چئي سگهجي ٿو، سادو ان جي جوڙجڪ ۾ سادو آهي، پيچيده ان جي گهرائي غور جي درخواست تي ٻڌل آهي. ڏينهون ڏينهن،MOSFET گرميءَ کي به هڪ تمام عام صورتحال سمجهيو ويندو آهي، جنهن جو اهم ڪارڻ اسان کي ڄاڻڻ جي ضرورت آهي ته ان جا سبب ڪٿان ۽ ڪهڙا طريقا حل ڪري سگهجن ٿا؟ اڳتي اچو ته گڏجي سمجھون.
I. جا سببMOSFET گرم ڪرڻ
1، سرڪٽ ڊيزائن جو مسئلو. اهو آهي MOSFET کي آن لائن رياست ۾ ڪم ڪرڻ ڏيو، نه سوئچنگ رياست ۾. اهو هڪ سبب آهي ڇو ته MOSFET گرم ٿي وڃي ٿي. جيڪڏهن N-MOS سوئچنگ ڪري ٿو، G-سطح جي وولٽيج کي مڪمل طور تي آن ڪرڻ لاءِ پاور سپلائي کان ڪجھ V وڌيڪ هجڻ گهرجي، ۽ P-MOS لاءِ ان جي برعڪس صحيح آهي. مڪمل طور تي کليل نه آهي ۽ وولٽيج ڊراپ تمام وڏو آهي جنهن جي نتيجي ۾ بجلي جو استعمال، برابر DC رڪاوٽ نسبتا وڏي آهي، وولٽيج ڊراپ وڌي ٿو، تنهنڪري U * I پڻ وڌي ٿو، نقصان جو مطلب آهي گرمي.
2، تعدد تمام گهڻي آهي. خاص طور تي ڪڏهن ڪڏهن حجم لاءِ تمام گهڻو، جنهن جي نتيجي ۾ وڌاءِ تعدد، MOSFET جي نقصان ۾ اضافو ٿيندو آهي، جيڪو پڻ MOSFET گرميءَ جو سبب بڻجي ٿو.
3، موجوده تمام گهڻي آهي. جڏهن ID وڌ ۾ وڌ موجوده کان گهٽ آهي، اهو پڻ MOSFET کي گرم ڪرڻ جو سبب بڻائيندو.
4، MOSFET ماڊل جو انتخاب غلط آهي. MOSFET جي اندروني مزاحمت کي مڪمل طور تي غور نه ڪيو ويو آهي، جنهن جي نتيجي ۾ سوئچنگ جي رڪاوٽ وڌائي ٿي.二،
MOSFET جي سخت گرمي جي پيداوار لاء حل
1، MOSFET جي گرمي سنڪ ڊيزائن تي سٺو ڪم ڪريو.
2، ڪافي معاون گرمي سڪن شامل ڪريو.
3، گرمي سنڪ چپپڻ کي پيسٽ ڪريو.
پوسٽ جو وقت: مئي-19-2024
