MOSFET چونڊ پوائنٽس

جي چونڊMOSFETتمام ضروري آهي، هڪ خراب انتخاب سڄي سرڪٽ جي طاقت جي استعمال کي متاثر ڪري سگهي ٿو، مختلف MOSFET اجزاء جي nuances ۽ مختلف سوئچنگ سرڪٽ ۾ پيٽرولن جي ماهر انجنيئرن کي تمام گهڻي مسئلن کان بچڻ ۾ مدد ڪري سگهي ٿي، Guanhua Weiye جون ڪجهه سفارشون هيٺ ڏنل آهن. MOSFETs جي چونڊ لاء.

 

پهريون، پي-چينل ۽ اين-چينل

پهريون قدم اين-چينل يا پي-چينل MOSFETs جي استعمال کي طئي ڪرڻ آهي. پاور ايپليڪيشنن ۾، جڏهن هڪ MOSFET گرائونڊ، ۽ لوڊ ٽرڪن وولٹیج سان ڳنڍيل آهي،MOSFETهڪ گهٽ وولٹیج سائڊ سوئچ ٺاهي ٿو. گھٽ وولٹیج سائڊ سوئچنگ ۾، N-channel MOSFETs عام طور تي استعمال ڪيا ويندا آھن، جنھن تي غور ڪيو ويندو آھي وولٽيج لاءِ گهربل ڊيوائس کي بند ڪرڻ يا چالو ڪرڻ لاءِ. جڏهن MOSFET بس ۽ لوڊ گرائونڊ سان ڳنڍيل آهي، هڪ اعلي وولٹیج سائڊ سوئچ استعمال ڪيو ويندو آهي. P-channel MOSFETs عام طور تي استعمال ڪيا ويا آھن، وولٹیج ڊرائيو غورن جي ڪري. ايپليڪيشن لاءِ صحيح اجزاء چونڊڻ لاءِ، اهو ضروري آهي ته ڊوائيس کي هلائڻ لاءِ گهربل وولٹیج جو اندازو لڳايو وڃي ۽ ڊزائن ۾ ان کي لاڳو ڪرڻ ڪيترو آسان آهي. ايندڙ قدم گهربل وولٹیج جي درجه بندي جو تعين ڪرڻ آهي، يا وڌ ۾ وڌ وولٹیج جيڪو جزو کڻي سگھي ٿو. اعلي وولٹیج جي درجه بندي، ڊوائيس جي قيمت وڌيڪ. عملي طور تي، وولٹیج جي درجه بندي ٽرڪن يا بس وولٹیج کان وڌيڪ هجڻ گهرجي. اهو ڪافي تحفظ فراهم ڪندو ته جيئن MOSFET ناڪام نه ٿيندو. MOSFET جي چونڊ لاءِ، اهو ضروري آهي ته وڌ ۾ وڌ وولٽيج جو اندازو لڳايو وڃي جيڪو ڊرين کان ماخذ تائين برداشت ڪري سگهجي ٿو، يعني وڌ ۾ وڌ VDS، تنهن ڪري اهو ڄاڻڻ ضروري آهي ته وڌ ۾ وڌ وولٽيج جيڪا MOSFET برداشت ڪري سگهي ٿي، درجه حرارت سان مختلف ٿي سگهي ٿي. ڊيزائنرز کي پوري آپريٽنگ درجه حرارت جي حد تي وولٹیج جي حد کي جانچڻ جي ضرورت آهي. ريٽيڊ وولٽيج کي هن حد کي ڍڪڻ لاءِ ڪافي مارجن جي ضرورت آهي انهي کي يقيني بڻائڻ لاءِ ته سرڪٽ ناڪام نه ٿئي. ان کان علاوه، ٻين حفاظتي عنصر کي غور ڪرڻ جي ضرورت آهي induced voltage transients.

 

ٻيو، موجوده درجه بندي جو اندازو لڳايو

MOSFET جي موجوده درجه بندي سرڪٽ جي جوڙجڪ تي منحصر آهي. موجوده درجه بندي وڌ ۾ وڌ موجوده آهي جيڪا لوڊ سڀني حالتن ۾ برداشت ڪري سگهي ٿي. وولٹیج ڪيس وانگر، ڊزائنر کي پڪ ڪرڻ جي ضرورت آهي ته چونڊيل MOSFET هن ريٽيڊ ڪرنٽ کي کڻڻ جي قابل آهي، جيتوڻيڪ جڏهن سسٽم هڪ اسپائڪ ڪرنٽ ٺاهي ٿو. غور ڪرڻ لاءِ ٻه موجوده منظرنامو مسلسل موڊ ۽ نبض اسپائڪس آهن. MOSFET مسلسل کنڊڪشن موڊ ۾ هڪ مستحڪم حالت ۾ آهي، جڏهن ڪرنٽ مسلسل ڊوائيس ذريعي گذري ٿو. پلس اسپائڪس وڏي تعداد ۾ سرجز (يا اسپائڪس آف ڪرنٽ) جو حوالو ڏئي ٿو جيڪو ڊوائيس ذريعي وهندو آهي، انهي صورت ۾، هڪ ڀيرو وڌ ۾ وڌ ڪرنٽ جو تعين ڪيو ويو آهي، اهو صرف هڪ ڊوائيس چونڊڻ جو معاملو آهي جيڪو هن وڌ ۾ وڌ ڪرنٽ کي برداشت ڪري سگهي ٿو.

 

درجه بندي ٿيل موجوده چونڊڻ کان پوء، وهڪري جي نقصان جو حساب پڻ ڪيو ويندو آهي. خاص حالتن ۾،MOSFETمثالي جزا نه آهن ڇاڪاڻ ته برقي نقصانن جي ڪري جيڪي conductive عمل جي دوران ٿين ٿا، جنهن کي سڏيو ويندو آهي. جڏهن "آن"، MOSFET هڪ متغير مزاحمت جي طور تي ڪم ڪري ٿو، جيڪو ڊوائيس جي RDS (ON) طرفان طئي ڪيو ويندو آهي ۽ خاص طور تي درجه حرارت سان تبديل ٿي ويندو آهي. ڊوائيس جي طاقت جي نقصان کي Iload2 x RDS (ON) مان شمار ڪري سگهجي ٿو، ۽ جيئن ته مزاحمت جي درجه حرارت سان مختلف آهي، طاقت جي نقصان متناسب طور تي مختلف آهي. MOSFET تي جيترو وڌيڪ وولٽيج VGS لاڳو ڪيو ويندو، اوترو گهٽ RDS(ON)؛ ان جي ابتڙ، وڌيڪ RDS (ON). سسٽم ڊيزائنر لاءِ، هي اهو آهي جتي ٽريڊ آف راند ۾ اچن ٿا سسٽم وولٹیج جي لحاظ سان. پورٽبل ڊيزائن لاء، هيٺين وولٽيجز آسان آهن (۽ وڌيڪ عام)، جڏهن ته صنعتي ڊيزائن لاء، اعلي وولٽيز استعمال ڪري سگھجن ٿيون. نوٽ ڪريو ته RDS (ON) مزاحمت موجوده سان ٿورو وڌي ٿو.

 

 

ٽيڪنالاجي جو جزوي خاصيتن تي زبردست اثر پوي ٿو، ۽ ڪجھ ٽيڪنالاجيون RDS (ON) ۾ واڌ جو سبب بڻجن ٿيون جڏهن وڌ ۾ وڌ VDS وڌايو وڃي. اهڙين ٽيڪنالاجين لاءِ، ويفر جي سائيز ۾ واڌ جي ضرورت هوندي آهي جيڪڏهن VDS ۽ RDS(ON) کي گھٽائڻو آهي، اهڙيءَ طرح ان سان گڏ پيڪيج جي سائيز کي وڌايو وڃي ۽ ان سان لاڳاپيل ترقياتي خرچ. صنعت ۾ ڪيتريون ئي ٽيڪنالاجيون آهن جيڪي ويفر جي سائيز ۾ واڌ کي ڪنٽرول ڪرڻ جي ڪوشش ڪن ٿيون، جن مان سڀ کان اهم ٽينچ ۽ چارج بيلنس ٽيڪنالاجيون آهن. خندق جي ٽيڪنالاجيءَ ۾، ويفر ۾ هڪ ٿلهي خندق جڙيل هوندي آهي، عام طور تي گهٽ وولٽيجز لاءِ رکيل هوندي آهي، ته جيئن مزاحمتي RDS (ON) کي گھٽائي سگهجي.

 

III. گرمي جي تقسيم جي ضرورتن جو تعين ڪريو

ايندڙ قدم سسٽم جي حرارتي ضرورتن کي ڳڻڻ آهي. ٻن مختلف منظرنامي تي غور ڪرڻ جي ضرورت آهي، بدترين ڪيس ۽ حقيقي ڪيس. TPV سفارش ڪري ٿو نتيجن کي ڳڻڻ جي بدترين حالتن جي لاءِ، جيئن ته هي ڳڻپ حفاظت جو وڏو مارجن مهيا ڪري ٿو ۽ يقيني بڻائي ٿو ته سسٽم ناڪام نه ٿيندو.

 

IV. سوئچنگ ڪارڪردگي

آخرڪار، MOSFET جي سوئچنگ ڪارڪردگي. اتي ڪيترائي پيٽرولر آھن جيڪي سوئچنگ ڪارڪردگي تي اثر انداز ڪندا آھن، اھم آھن گيٽ/ڊرين، گيٽ/ذريعو ۽ ڊيل/ذريعو ڪيپيسيٽينس. اهي ڪيپيسيٽنس جزو ۾ سوئچنگ نقصان ٺاهيندا آهن ڇاڪاڻ ته انهن کي هر دفعي سوئچ ڪرڻ جي ضرورت آهي. نتيجي طور، MOSFET جي سوئچنگ جي رفتار گھٽجي ٿي ۽ ڊوائيس جي ڪارڪردگي گھٽجي ٿي. سوئچنگ دوران ڊيوائس ۾ ڪل نقصان کي ڳڻڻ لاءِ، ڊيزائنر کي ٽرن آن (Eon) دوران ٿيل نقصان ۽ ٽرن آف (Eoff) دوران ٿيل نقصانن جو اندازو لڳائڻ جي ضرورت آھي. اهو هيٺين مساوات سان اظهار ڪري سگهجي ٿو: Psw = (Eon + Eoff) x سوئچنگ فریکوئنسي. ۽ گيٽ چارج (Qgd) سوئچنگ ڪارڪردگي تي تمام وڏو اثر آھي.