Metal-Oxide-SemICconductor ڍانچي جي ڪرسٽل ٽرانزسٽر کي عام طور سڃاتو وڃي ٿوMOSFET، جتي MOSFETs P-type MOSFETs ۽ N-type MOSFETs ۾ ورهايل آهن. MOSFETs مان ٺهيل انٽيگريٽيڊ سرڪٽس کي MOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽ به چئبو آهي، ۽ PMOSFET ۽ PMOSFET مان ٺهيل انٽيگريٽڊ سرڪٽس کي ويجهي سان ملندڙNMOSFETs CMOSFET integrated circuits سڏجن ٿا.
MOSFET جنهن ۾ هڪ p-type substrate ۽ ٻه n-اسپريڊنگ علائقن تي مشتمل هجي جنهن ۾ اعليٰ ڪنسنٽريشن ويلز کي اين-چينل چئبو آهي.MOSFET، ۽ هڪ n-قسم جي conductive چينل جي ڪري پيدا ٿيندڙ conductive چينل سبب آهي n-اسپريڊنگ رستن جي ٻن n-پکڙيندڙ رستن ۾ اعلي ڪنسنٽريشن ويلز سان جڏهن ٽيوب هلندي آهي. n-چينل ٿلهي MOSFETs وٽ n-چينل هوندو آهي جيڪو هڪ conductive چينل جي ڪري پيدا ٿئي ٿو جڏهن دروازي تي هڪ مثبت هدايتي تعصب جيترو ممڪن حد تائين بلند ڪيو وڃي ٿو ۽ صرف ان صورت ۾ جڏهن دروازي جي ماخذ جي آپريشن لاءِ آپريٽنگ وولٽيج جي حد کان وڌيل وولٽيج جي ضرورت آهي. n-channel depletion MOSFETs اهي آهن جيڪي دروازي جي وولٽيج لاءِ تيار نه آهن (دروازو جي آپريشن لاءِ صفر جي آپريٽنگ وولٽيج جي ضرورت آهي). هڪ اين-چينل لائيٽ جي گھٽتائي MOSFET هڪ اين-چينل MOSFET آهي جنهن ۾ conductive چينل ان وقت ٿئي ٿو جڏهن دروازي جي وولٹیج (دروازو جو ذريعو آپريٽنگ گهربل آپريٽنگ وولٹیج صفر آهي) تيار نه آهي.
NMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽس N-channel MOSFET پاور سپلائي سرڪٽ، NMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽس آھن، ان پٽ جي مزاحمت تمام گھڻي آھي، وڏي اڪثريت کي طاقت جي وهڪري جي جذب کي ھضم ڪرڻ جي ضرورت نه آھي، ۽ اھڙيءَ طرح CMOSFET ۽ NMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽس ۾ شامل ٿيڻ جي بغير ڳنڍيل آھن. بجلي جي وهڪري جي لوڊ جو حساب ڪريو.NMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽس، هڪ واحد گروپ مثبت سوئچنگ پاور سپلائي سرڪٽ جي چونڊ جي وڏي اڪثريت پاور سپلائي سرڪٽ جي اڪثريت NMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽ هڪ واحد مثبت سوئچنگ پاور سپلائي سرڪٽ استعمال ڪندي پاور سپلائي سرڪٽ، ۽ وڌيڪ لاء 9V. CMOSFET انٽيگريٽيڊ سرڪٽس کي صرف ساڳيو سوئچنگ پاور سپلائي سرڪٽ پاور سپلائي سرڪٽ استعمال ڪرڻ جي ضرورت آهي جيئن NMOSFET انٽيگريٽيڊ سرڪٽس، فوري طور تي NMOSFET انٽيگريٽيڊ سرڪٽس سان ڳنڍجي سگھجي ٿي. جڏهن ته، NMOSFET کان CMOSFET تائين فوري طور تي ڳنڍيل آهي، ڇاڪاڻ ته NMOSFET آئوٽ پُل-اپ مزاحمت CMOSFET انٽيگريٽڊ سرڪٽ ڪيڊ پل-اپ مزاحمت کان گهٽ آهي، تنهن ڪري هڪ امڪاني فرق پل-اپ رزسٽر R لاڳو ڪرڻ جي ڪوشش ڪريو، رزسٽر R جي قيمت آهي. عام طور تي 2 کان 100KΩ.
N-channel thickened MOSFETs جي تعمير
P-type silicon substrate تي گھٽ ڊوپنگ ڪنسنٽريشن ويليو سان، ٻه N علائقا جن ۾ ڊاپنگ ڪنسنٽريشن ويليو ھوندا آھن، ۽ ٻه اليڪٽروڊ ايلومينيم جي ڌاتو مان ٺاھيا ويندا آھن ته جيئن ڊيل ڊي ۽ ماخذ s، ترتيب سان ڪم ڪن.
ان کان پوء سيمي ڪنڊڪٽر جزو جي مٿاڇري ۾ سليڪا انسوليٽنگ ٽيوب جي هڪ تمام پتلي پرت کي ڇڪيندي، نالي ۾ - هڪ ٻئي ايلومينيم اليڪٽرروڊ جي ماخذ ۽ ماخذ جي وچ ۾ انسوليٽنگ ٽيوب، دروازي جي طور تي.
ذيلي ذخيري ۾ پڻ هڪ اليڪٽرروڊ بي جي اڳواڻي ڪري ٿو، جيڪو هڪ اين-چينل ٿلهي MOSFET تي مشتمل آهي. MOSFET ماخذ ۽ ذيلي ذخيرو عام طور تي هڪٻئي سان ڳنڍيل هوندا آهن، ڪارخاني ۾ پائپ جي وڏي اڪثريت ان سان ڳنڍيل آهي، ان جي دروازي ۽ ٻين اليڪٽرروڊس جي وچ ۾ بند ٿيل آهن.
پوسٽ ٽائيم: مئي-26-2024
