Field Effect Transistor جو مختصر نالوMOSFET.There are two main type: junction field effect tubes and metal-oxide semiconductor field effect tubes. MOSFET پڻ هڪ يونيپولر ٽرانزسٽر طور سڃاتو وڃي ٿو جنهن ۾ اڪثريت ڪيريئرز جي چالڪيت ۾ شامل آهن. اهي وولٹیج-ڪنٽرول سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز آهن. ان جي اعلي ان پٽ مزاحمت جي ڪري، گهٽ شور، گهٽ پاور واپرائڻ، ۽ ٻين خاصيتن جي ڪري، ان کي بائيپولر ٽرانزسٽرز ۽ پاور ٽرانزسٽرز جو مضبوط مقابلو بڻائي ٿو.
I. MOSFET جا مکيه پيرا ميٽر
1، ڊي سي پيٽرول
Saturation drain current کي ڊرين ڪرنٽ جي طور تي بيان ڪري سگهجي ٿو ان سان لاڳاپيل جڏهن دروازي ۽ ماخذ جي وچ ۾ وولٹیج صفر جي برابر آهي ۽ ڊرين ۽ ماخذ جي وچ ۾ وولٹیج پنچ آف وولٹیج کان وڌيڪ آهي.
پنچ آف وولٹیج UP: UGS کي ID گھٽائڻ جي ضرورت آهي ننڍي ڪرنٽ تائين جڏهن UDS يقيني آهي؛
ٽرن آن وولٹیج UT: UGS جي ضرورت آهي ID آڻڻ لاءِ هڪ خاص قدر تي جڏهن UDS يقيني آهي.
2، AC پيٽرولر
گھٽ فريڪوئنسي ٽرانسڪنڊڪٽينس گيم : بيان ڪري ٿو گيٽ ۽ سورس وولٽيج جي ڪنٽرول اثر کي ڊرين ڪرنٽ تي.
بين-قطب جي گنجائش: MOSFET جي ٽن اليڪٽرروڊس جي وچ ۾ ظرفيت، قدر جيترو ننڍو، ڪارڪردگي بهتر.
3، حد پيرا ميٽر
ڊرين، ماخذ بريڪ ڊائون وولٹیج: جڏهن ڊرين ڪرنٽ تيزيءَ سان وڌي ٿو، اهو پيدا ڪندو برفاني ڦاٽڻ جڏهن UDS.
گيٽ بريڪ ڊائون وولٹیج: جنڪشن فيلڊ اثر ٽيوب عام آپريشن، دروازي ۽ ذريعو PN جنڪشن جي وچ ۾ ريورس تعصب واري حالت ۾، موجوده خرابي پيدا ڪرڻ لاء تمام وڏو آهي.
II. جي خاصيتونMOSFETs
MOSFET ۾ هڪ ايمپليفڪيشن فنڪشن آهي ۽ هڪ ايمپليفائيڊ سرڪٽ ٺاهي سگھي ٿو. هڪ triode سان مقابلي ۾، ان ۾ هيٺيون خاصيتون آهن.
(1) MOSFET هڪ وولٹیج ڪنٽرول ڊوائيس آهي، ۽ امڪاني طور تي UGS پاران ڪنٽرول ڪيو ويندو آهي؛
(2) MOSFET جي ان پٽ تي موجوده تمام ننڍڙو آهي، تنهنڪري ان جي ان پٽ مزاحمت تمام گهڻي آهي؛
(3) ان جي گرمي پد جي استحڪام سٺي آهي ڇاڪاڻ ته اها چالکائي لاءِ اڪثريت ڪيريئر استعمال ڪندي آهي.
(4) ان جي ايمپليفڪيشن سرڪٽ جو وولٽيج ايمپليفڪيشن ڪوئفيشٽ ٽريوڊ جي ڀيٽ ۾ ننڍو آهي.
(5) اهو تابڪاري جي خلاف وڌيڪ مزاحمتي آهي.
ٽيون،MOSFET ۽ ٽرانزسٽر جو مقابلو
(1) MOSFET ماخذ، دروازا، drain ۽ triode ماخذ، بنيادي، سيٽ پوائنٽ قطب هڪجهڙائي جي ڪردار سان ملندڙ جلندڙ آهي.
(2) MOSFET هڪ وولٹیج-ڪنٽرول موجوده ڊوائيس آهي، ايمپليفڪيشن جي گنجائش ننڍڙو آهي، ايمپليفڪيشن جي صلاحيت غريب آهي؛ triode هڪ موجوده-ڪنٽرول voltage اوزار آهي، amplification جي صلاحيت مضبوط آهي.
(3) MOSFET دروازي بنيادي طور تي موجوده نه وٺندو آهي؛ ۽ triode ڪم، بنياد هڪ خاص موجوده جذب ڪندو. تنهن ڪري، MOSFET دروازي جي ان پٽ مزاحمت ٽنڊوڊ ان پٽ مزاحمت کان وڌيڪ آهي.
(4) MOSFET جي وهڪري واري عمل ۾ پوليٽرون جي شموليت هوندي آهي، ۽ ٽريوڊ ۾ ٻن قسمن جي ڪيريئرز جي شموليت هوندي آهي، پوليٽرون ۽ اوليگوٽران، ۽ ان جي oligotron جي ڪنسنٽريشن کي گرمي پد، تابڪاري ۽ ٻين عنصرن جي ڪري تمام گهڻو متاثر ٿيندو آهي، تنهن ڪري، MOSFET. ٽرانزسٽر کان بهتر گرمي جي استحڪام ۽ تابڪاري جي مزاحمت آهي. MOSFET چونڊيو وڃي جڏهن ماحولياتي حالتون تمام گهڻو تبديل ٿين.
(5) جڏهن MOSFET کي ماخذ ڌاتو ۽ ذيلي ذخيري سان ڳنڍيو ويندو آهي، ماخذ ۽ خشڪي کي مٽائي سگهجي ٿو ۽ خاصيتون گهڻو تبديل نه ٿيون ڪن، جڏهن ته ٽرانزيٽر جي ڪليڪٽر ۽ ايميٽر کي تبديل ڪيو وڃي، خاصيتون مختلف هونديون آهن ۽ β قدر. گھٽجي ويو آهي.
(6) MOSFET جو شور انگ ننڍڙو آهي.
(7) MOSFET ۽ ٽريوڊ مختلف قسم جي ايمپليفائر سرڪٽس ۽ سوئچنگ سرڪٽس مان ٺهيل ٿي سگهن ٿا، پر اڳوڻو گھٽ بجلي استعمال ڪري ٿو، اعلي حرارتي استحڪام، سپلائي وولٹیج جي وسيع رينج، تنهنڪري اهو وڏي پيماني تي استعمال ڪيو ويندو آهي وڏي پيماني تي ۽ الٽرا وڏي- پيماني تي مربوط سرڪٽ.
(8) ٽريوڊ جي آن-مزاحمتي وڏي آھي، ۽ MOSFET جي آن-مزاحمتي ننڍي آھي، تنھنڪري MOSFETs کي عام طور تي اعليٰ ڪارڪردگيءَ سان سوئچ طور استعمال ڪيو ويندو آھي.
پوسٽ ٽائيم: مئي-16-2024
