MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor) اڪثر سمجھيا ويندا آھن مڪمل ڪنٽرول ٿيل ڊوائيسز. اهو ئي سبب آهي ته MOSFET جي آپريٽنگ اسٽيٽ (آن يا آف) مڪمل طور تي دروازي جي وولٽيج (Vgs) جي ذريعي ڪنٽرول ڪئي وئي آهي ۽ بي پولر ٽرانزسٽر (BJT) جي صورت ۾ بنيادي موجوده تي منحصر نه آهي.
هڪ MOSFET ۾، دروازي جي وولٽيج Vgs اهو طئي ڪري ٿو ته ڇا هڪ هلندڙ چينل ذريعو ۽ نالن جي وچ ۾ ٺهيل آهي، انهي سان گڏ هلندڙ چينل جي چوٽي ۽ چالکائي. جڏهن Vgs حد کان وڌي ٿو وولٽيج Vt، هلائڻ وارو چينل ٺهيل آهي ۽ MOSFET آن اسٽيٽ ۾ داخل ٿئي ٿو؛ جڏهن Vgs Vt کان هيٺ اچي ٿو، هلائڻ وارو چينل غائب ٿي وڃي ٿو ۽ MOSFET ڪٽ آف اسٽيٽ ۾ آهي. هي ڪنٽرول مڪمل طور تي ڪنٽرول ٿيل آهي ڇو ته دروازي جي وولٹیج آزاديء سان ۽ صحيح طور تي MOSFET جي آپريٽنگ رياست کي ڪنٽرول ڪري سگهي ٿو بغير ڪنهن ٻئي موجوده يا وولٽيج پيٽرولر تي ڀروسو ڪرڻ کان سواء.
ان جي ابتڙ، اڌ-ڪنٽرول ڊوائيسز جي آپريٽنگ حالت (مثال طور، thyristors) نه رڳو ڪنٽرول وولٹیج يا ڪرنٽ، پر ٻين عنصرن (مثال طور، اينوڊ وولٹیج، ڪرنٽ، وغيره) جي ڪري متاثر ٿيندي آهي. نتيجي طور، مڪمل طور تي ڪنٽرول ڊوائيسز (مثال طور، MOSFETs) عام طور تي ڪنٽرول جي درستگي ۽ لچڪ جي لحاظ کان بهتر ڪارڪردگي پيش ڪن ٿا.
خلاصو، MOSFETs مڪمل طور تي ڪنٽرول ڊوائيسز آهن جن جي آپريٽنگ رياست مڪمل طور تي دروازي جي وولٹیج جي ذريعي ڪنٽرول ڪئي وئي آهي، ۽ اعلي صحت واري، اعلي لچڪدار ۽ گهٽ پاور واپرائڻ جا فائدا آهن.
پوسٽ ٽائيم: سيپٽمبر-20-2024
