nMOSFETs ۽ pMOSFETs جو تعين ڪيئن ڪجي

I. موجوده وهڪري جي هدايت جي مطابق

NMOSFET:جڏهن ڪرنٽ ماخذ (S) کان ڊرين (D) ڏانهن وهندو آهي، MOSFET هڪ NMOSFET آهي هڪ NMOSFET ۾، ماخذ ۽ ڊرين اين-قسم سيميڪنڊڪٽرز آهن ۽ دروازي هڪ پي-قسم سيمي ڪنڊڪٽر آهي. جڏهن دروازي جي وولٽيج ماخذ جي حوالي سان مثبت آهي، هڪ اين-قسم هلائيندڙ چينل سيمي ڪنڊڪٽر جي مٿاڇري تي ٺهيل آهي، جيڪا اليڪٽران کي ماخذ کان ڊرين ڏانهن وهڻ جي اجازت ڏئي ٿي.

PMOSFET:هڪ MOSFET هڪ PMOSFET آهي جڏهن وهڪري (D) کان ماخذ (S) ڏانهن وهندو آهي PMOSFET ۾، ذريعو ۽ ڊرين ٻئي پي-قسم سيميڪنڊڪٽر آهن ۽ دروازو هڪ n-قسم سيمي ڪنڊڪٽر آهي. جڏهن دروازي جو وولٽيج ماخذ جي حوالي سان منفي هوندو آهي، سيمي ڪنڊڪٽر جي مٿاڇري تي هڪ p-قسم جو ڪنڊڪٽنگ چينل ٺهيل هوندو آهي، جيڪو سوراخن کي ماخذ کان ڊرين ڏانهن وهڻ جي اجازت ڏيندو آهي (ياد رهي ته روايتي وضاحت ۾ اسان اڃا به چوندا آهيون ته ڪرنٽ. D کان S ڏانهن وڃي ٿو، پر اهو اصل ۾ هدايت آهي جنهن ۾ سوراخ هلن ٿا).

*** www.DeepL.com/Translator سان ترجمو ٿيل (مفت ورزن) ***

II. parasitic diode جي هدايت موجب

NMOSFET:جڏهن پارسيٽڪ ڊاءِڊ ماخذ (S) کان ڊرين (D) ڏانهن اشارو ڪري رهيو آهي، اهو هڪ NMOSFET آهي. parasitic diode MOSFET جي اندر هڪ اندروني جوڙجڪ آهي، ۽ ان جي هدايت اسان کي MOSFET جي قسم کي طئي ڪرڻ ۾ مدد ڪري سگهي ٿي.

PMOSFET:parasitic diode هڪ PMOSFET آهي جڏهن اهو نڪتو (D) کان ذريعو (S) ڏانهن.

III. ڪنٽرول electrode voltage ۽ بجلي conductivity جي وچ ۾ تعلق موجب

NMOSFET:هڪ NMOSFET ڪندو آهي جڏهن دروازي وولٹیج ماخذ وولٹیج جي حوالي سان مثبت آهي. اهو ئي سبب آهي ته هڪ مثبت دروازي وولٽيج سيمي ڪنڊڪٽر جي مٿاڇري تي اين-قسم هلائيندڙ چينل ٺاهي ٿو، اليڪٽران کي وهڻ جي اجازت ڏئي ٿو.

PMOSFET:هڪ PMOSFET ڪم ڪندو آهي جڏهن دروازي جي وولٹیج منبع وولٹیج جي حوالي سان منفي آهي. هڪ منفي دروازي جي وولٽيج هڪ پي-قسم جي هلندڙ چينل ٺاهي ٿو سيمي ڪنڊڪٽر جي مٿاڇري تي، سوراخ کي وهڻ جي اجازت ڏئي ٿو (يا موجوده وهڻ لاء ڊي کان S تائين).

IV. فيصلي جي ٻين معاون طريقن

ڊوائيس جا نشان ڏسو:ڪجھ MOSFETs تي، ٿي سگھي ٿو ھڪڙو نشان يا ماڊل نمبر جيڪو ان جي قسم جي سڃاڻپ ڪري، ۽ لاڳاپيل ڊيٽا شيٽ سان صلاح ڪندي، توھان تصديق ڪري سگھوٿا ته اھو ھڪڙو NMOSFET آھي يا PMOSFET.

ٽيسٽ اوزار جو استعمال:MOSFET جي پن جي مزاحمت کي ماپڻ يا مختلف وولٽيج تي ان جي وهڪري کي ٽيسٽ آلات جهڙوڪ ملٽي ميٽر پڻ ان جي قسم کي طئي ڪرڻ ۾ مدد ڪري سگھن ٿا.

تت ۾، NMOSFETs ۽ PMOSFETs جو فيصلو خاص طور تي موجوده وهڪري جي هدايت، پارسيٽڪ ڊاءڊ جي هدايت، ڪنٽرول اليڪٽرروڊ وولٹیج ۽ چالکائي جي وچ ۾ لاڳاپو، ۽ گڏوگڏ ڊوائيس جي نشانين جي چڪاس ۽ ٽيسٽ آلات جي استعمال جي ذريعي ٿي سگھي ٿو. عملي ايپليڪيشنن ۾، مناسب فيصلي جو طريقو مخصوص صورتحال جي مطابق چونڊيو وڃي ٿو.