ڪيئن وڌايل پيڪيج MOSFETs ڪم

جڏهن هڪ سوئچنگ پاور سپلائي يا موٽر ڊرائيو سرڪٽ کي ٺهيل MOSFETs استعمال ڪندي، اڪثر ماڻهو MOS جي مزاحمت تي غور ڪن ٿا، وڌ ۾ وڌ وولٹیج، وغيره، وڌ ۾ وڌ موجوده، وغيره، ۽ اهڙا ڪيترائي آهن جيڪي صرف انهن فڪر تي غور ڪن ٿا. اهڙا سرڪٽ ڪم ڪري سگهن ٿا، پر اهي شاندار نه آهن ۽ رسمي پيداوار جي ڊيزائن جي طور تي اجازت نه ڏني وئي آهي.

هيٺ ڏنل MOSFET جي بنيادي ڳالهين جو ٿورڙو خلاصو آهي ۽MOSFETڊرائيور سرڪٽس، جن مان ڪيترن ئي ذريعن جو حوالو ڏنو ويو آهي، سڀ اصل نه. MOSFETs جو تعارف، خاصيتون، ڊرائيو ۽ ايپليڪيشن سرڪٽ شامل آهن. پيڪيجنگ MOSFET قسم ۽ جنڪشن MOSFET ھڪڙو FET (ٻيو JFET) آھي، ٺاھي سگھجي ٿو وڌايل يا ختم ڪرڻ واري قسم ۾، P-channel يا N-channel مجموعي طور تي چار قسمن ۾، پر اصل ايپليڪيشن صرف وڌايل N-channel MOSFET ۽ وڌايل پي. چينل MOSFET، تنهنڪري عام طور تي NMOS طور حوالو ڏنو ويو آهي، يا PMOS انهن ٻن قسمن ڏانهن اشارو ڪري ٿو.

جيئن ته ڇو نه استعمال ڪريو depletion type MOSFETs، ان جي تري ۾ وڃڻ جي سفارش نه ڪئي وئي آهي. انهن ٻن قسمن جي واڌاري MOSFETs لاء، NMOS وڌيڪ عام طور تي استعمال ڪيو ويندو آهي ڇاڪاڻ ته ان جي گهٽ مزاحمت ۽ آسانيء سان ٺهيل آهي. تنهن ڪري سوئچنگ پاور سپلائي ۽ موٽر ڊرائيو ايپليڪيشنون، عام طور تي استعمال ڪريو NMOS. هيٺ ڏنل تعارف، پر وڌيڪNMOS-بنياد.

MOSFETs ۾ ٽن پنن جي وچ ۾ پاراسياتي ظرفيت آهي، جنهن جي ضرورت ناهي، پر پيداوار جي عمل جي حدن جي ڪري. ڊزائن يا ڊرائيو سرڪٽ جي چونڊ ۾ parasitic capacitance جي وجود کي ڪجهه مصيبت آهي، پر ان کان بچڻ جو ڪو طريقو ناهي، ۽ پوء تفصيل سان بيان ڪيو ويو آهي. جيئن ته توهان MOSFET اسڪيميٽ تي ڏسي سگهو ٿا، اتي ڊيل ۽ ماخذ جي وچ ۾ هڪ پارسياتي ڊيوڊ آهي.

ان کي باڊي ڊاءِڊ چئبو آهي ۽ انڊڪٽو لوڊ هلائڻ ۾ اهم آهي جهڙوڪ موٽر. رستي جي ذريعي، جسم جي ڊيوڊ صرف انفرادي طور تي موجود آهيMOSFETs۽ عام طور تي انٽيگريٽيڊ سرڪٽ چپ جي اندر موجود نه هوندو آهي. MOSFET ON CharacteristicsOn جو مطلب آهي هڪ سوئچ جي طور تي ڪم ڪرڻ، جيڪو هڪ سوئچ بند ڪرڻ جي برابر آهي.

NMOS خاصيتون، هڪ خاص قدر کان وڌيڪ Vgs منظم ڪندو، ان صورت ۾ استعمال لاءِ موزون جڏهن ذريعو گرائونڊ هجي (گهٽ-آخر ڊرائيو)، جيستائين دروازي جي وولٹیج 4V يا 10V. PMOS خاصيتون، Vgs هڪ خاص قدر کان گهٽ ڪم ڪندو، ان صورت ۾ استعمال لاءِ مناسب جڏهن ماخذ VCC سان ڳنڍيل هجي (هاءِ-اينڊ ڊرائيو). جيتوڻيڪ، جيتوڻيڪ PMOS آساني سان استعمال ڪري سگهجي ٿو هڪ اعلي آخر ڊرائيور جي طور تي، NMOS عام طور تي استعمال ڪيو ويندو آهي اعلي آخر ڊرائيورن ۾ وڏي مزاحمت، اعلي قيمت، ۽ ڪجھ متبادل قسمن جي ڪري.

پيڪيجنگ MOSFET سوئچنگ ٽيوب نقصان، چاهي اهو NMOS هجي يا PMOS، ڪنڊڪشن کان پوءِ ان تي مزاحمت موجود هوندي آهي، ته جيئن ڪرنٽ ان مزاحمت ۾ توانائي استعمال ڪندو، توانائيءَ جي هن حصي کي استعمال ٿيندڙ نقصان (Conduction loss) چئبو آهي. هڪ ننڍڙي مزاحمت سان MOSFET کي چونڊڻ سان وهڪري جي نقصان کي گهٽائي ڇڏيندو. اڄڪلهه، ننڍي طاقت MOSFET جي آن-مزاحمت عام طور تي ڏهن milliohms جي لڳ ڀڳ آهي، ۽ ڪجهه milliohms پڻ موجود آهن. MOS هڪ فوري ۾ مڪمل نه ٿيڻ گهرجي جڏهن اهو هلائي ٿو ۽ بند ڪري ٿو. MOS جي ٻنهي پاسن تي وولٹیج آهي گھٽجڻ جو عمل، ۽ ان ذريعي وهندڙ ڪرنٽ کي وڌڻ جو عمل هوندو آهي. هن وقت دوران، MOSFET جو نقصان وولٽيج ۽ ڪرنٽ جي پيداوار آهي، جنهن کي سوئچنگ نقصان چئبو آهي. عام طور تي سوئچنگ جو نقصان پهچائڻ واري نقصان کان تمام وڏو هوندو آهي، ۽ جيترو تيز سوئچنگ فریکوئنسي، اوترو وڏو نقصان. وولٹیج ۽ ڪرنٽ جي پيداوار فوري طور تي پهچائڻ تمام وڏي آهي، نتيجي ۾ وڏو نقصان.

سوئچنگ جي وقت کي گھٽائڻ سان هر وهڪري تي نقصان گھٽجي ٿو. سوئچنگ فریکوئنسي کي گھٽائڻ سان في يونٽ وقت جي سوئچ جو تعداد گھٽجي ٿو. اهي ٻئي طريقا سوئچنگ نقصان کي گهٽائي سگهن ٿا. وولٹیج ۽ ڪرنٽ جي پيداوار فوري طور تي پهچائڻ وڏي آهي، ۽ نتيجو نقصان پڻ وڏو آهي. سوئچنگ جي وقت کي گھٽائڻ سان هر وهڪري تي نقصان گھٽجي سگھي ٿو؛ سوئچنگ فریکوئنسي کي گھٽائڻ سان في يونٽ وقت جي سوئچ جو تعداد گھٽائي سگھي ٿو. اهي ٻئي طريقا سوئچنگ نقصان کي گهٽائي سگهن ٿا. ڊرائيونگ بائيپولر ٽرانزسٽرز جي مقابلي ۾، عام طور تي اهو سمجهيو ويندو آهي ته هڪ پيڪيج ٿيل MOSFET کي آن ڪرڻ لاءِ ڪنهن به ڪرنٽ جي ضرورت ناهي، جيستائين GS وولٽيج هڪ خاص قدر کان مٿي آهي. اهو ڪرڻ آسان آهي، جڏهن ته، اسان کي رفتار جي ضرورت آهي. encapsulated MOSFET جي جوڙجڪ GS، GD جي وچ ۾ parasitic capacitance جي موجودگي ۾ ڏسي سگھجي ٿو، ۽ MOSFET جي ڊرائيونگ، حقيقت ۾، ظرفيت جي چارج ۽ خارج ڪرڻ آھي. ڪيپيسيٽر کي چارج ڪرڻ لاءِ ڪرنٽ جي ضرورت آهي، ڇاڪاڻ ته ڪيپيسيٽر کي فوري طور تي چارج ڪرڻ هڪ شارٽ سرڪٽ جي طور تي ڏسي سگهجي ٿو، تنهنڪري فوري ڪرنٽ وڏو ٿيندو. MOSFET ڊرائيور کي چونڊڻ/ڊزائن ڪرڻ وقت نوٽ ڪرڻ لاءِ پهرين شيءِ آهي فوري شارٽ سرڪٽ ڪرنٽ جو سائز جيڪو مهيا ڪري سگهجي ٿو.

نوٽ ڪرڻ جي ٻي شيء اها آهي ته، عام طور تي اعلي-آخر ڊرائيو NMOS ۾ استعمال ڪيو ويندو آهي، وقت جي دروازي جي وولٹیج کي ماخذ وولٹیج کان وڌيڪ هجڻ گهرجي. هاءِ-اينڊ ڊرائيو MOSFET ڪنڊڪشن سورس وولٽيج ۽ ڊرين وولٽيج (VCC) ساڳيو آهي، تنهنڪري دروازي جو وولٽيج VCC 4 V يا 10 V کان. جيڪڏهن ساڳئي سسٽم ۾، VCC کان وڏي وولٽيج حاصل ڪرڻ لاءِ، اسان کي خاص ڪرڻو پوندو. وڌائڻ وارو سرڪٽ. ڪيترن ئي موٽر ڊرائيورن کي چارج پمپن کي ضم ڪيو ويو آهي، اهو نوٽ ڪرڻ ضروري آهي ته توهان کي مناسب خارجي صلاحيت چونڊڻ گهرجي، انهي لاء ته MOSFET کي هلائڻ لاء ڪافي شارٽ سرڪٽ موجوده حاصل ڪرڻ لاء. 4V يا 10V عام طور تي MOSFET جي آن اسٽيٽ وولٹیج ۾ استعمال ٿيندو آهي، يقينا، ڊزائن کي هڪ خاص مارجن جي ضرورت آهي. جيترو وڌيڪ وولٽيج، اوترو تيز آن اسٽيٽ اسپيڊ ۽ اوترو ئي گهٽ آن اسٽيٽ مزاحمت. اڄڪلهه، اتي MOSFETs آهن ننڍا آن-اسٽيٽ وولٽيج سان مختلف شعبن ۾ استعمال ٿيندا آهن، پر 12V آٽوميٽڪ اليڪٽرانڪ سسٽم ۾، عام طور تي 4V آن اسٽيٽ ڪافي آهي. MOSFET ڊرائيو سرڪٽ ۽ ان جو نقصان.