MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor) ۾ ٽي قطب آھن جيڪي ھي آھن:
گيٽ:G، هڪ MOSFET جو دروازو هڪ بائيپولر ٽرانزسٽر جي بنياد جي برابر آهي ۽ MOSFET جي وهڪري ۽ ڪٽ آف کي ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي. MOSFETs ۾، دروازي جي وولٽيج (Vgs) اهو طئي ڪري ٿو ته ڇا هڪ conductive چينل ذريعو ۽ نالن جي وچ ۾ ٺهيل آهي، انهي سان گڏ ويڪرائي چينل جي چوٽي ۽ چالکائي. دروازي کي مواد مان ٺهيل آهي جهڙوڪ ڌاتو، پولي سليڪون وغيره، ۽ ان جي چوڌاري هڪ موصلي واري پرت (عام طور تي سلکان ڊاءِ آڪسائيڊ) سان گهيرو ڪيو ويو آهي ته جيئن دروازي کي سڌو سنئون يا دروازي کان ٻاهر وهڻ کان روڪيو وڃي.
ذريعو:S، MOSFET جو ذريعو هڪ بائيپولر ٽرانزسٽر جي ايميٽر جي برابر آهي ۽ اهو آهي جتي موجوده وهندو آهي. N-channel MOSFETs ۾، ذريعو عام طور تي پاور سپلائي جي منفي ٽرمينل (يا زمين) سان ڳنڍيل آهي، جڏهن ته P-چينل MOSFETs ۾، ذريعو پاور سپلائي جي مثبت ٽرمينل سان ڳنڍيل آهي. ذريعو انهن اهم حصن مان هڪ آهي جيڪو هلائيندڙ چينل ٺاهيندو آهي، جيڪو اليڪٽران (N-channel) يا سوراخ (P-channel) ڊرين ڏانهن موڪلي ٿو جڏهن دروازي جي وولٽيج ڪافي آهي.
نيڪال:D، MOSFET جو drain بائيپولر ٽرانزسٽر جي ڪليڪٽر جي برابر هوندو آهي ۽ اهو آهي جتي ڪرنٽ وهندو آهي. ڊرين عام طور تي لوڊ سان ڳنڍيل هوندو آهي ۽ سرڪٽ ۾ ڪرنٽ آئوٽ پٽ طور ڪم ڪندو آهي. MOSFET ۾، ڊرين ڪنڊڪٽو چينل جي ٻئي پڇاڙيءَ ۾ آهي، ۽ جڏهن دروازي جو وولٽيج ماخذ ۽ نالي جي وچ ۾ هڪ conductive چينل جي ٺهڻ کي ڪنٽرول ڪري ٿو، ته ڪرنٽ ماخذ کان وهندڙ چينل ذريعي نالي ڏانهن وهي سگهي ٿو.
مختصر طور تي، MOSFET جو گيٽ آن ۽ آف ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي، ذريعو اهو آهي جتي ڪرنٽ وهندو آهي، ۽ ڊرين اهو آهي جتي ڪرنٽ وهندو آهي. گڏو گڏ، اهي ٽي قطب MOSFET جي آپريٽنگ حالت ۽ ڪارڪردگي جو تعين ڪندا آهن. .
پوسٽ ٽائيم: سيپٽمبر-26-2024
