IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ۽ MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor) ٻه عام پاور سيميڪنڊڪٽر ڊوائيسز آھن جيڪي وڏي پيماني تي پاور اليڪٽرانڪس ۾ استعمال ٿين ٿيون. جڏهن ته ٻئي مختلف ايپليڪيشنن ۾ ضروري جزا آهن، اهي مختلف پهلوئن ۾ خاص طور تي مختلف آهن. هيٺ ڏنل بنيادي فرق آهن IGBT ۽ MOSFET جي وچ ۾:
1. ڪم ڪرڻ جو اصول
- IGBT: IGBT ٻنهي جي خاصيتن کي گڏ ڪري ٿو BJT (Bipolar Junction Transistor) ۽ MOSFET، ان کي هڪ هائبرڊ ڊوائيس ٺاهيندي. اهو BJT جي بنياد کي MOSFET جي دروازي جي وولٽ ذريعي ڪنٽرول ڪري ٿو، جنهن جي نتيجي ۾ BJT جي وهڪري ۽ ڪٽ آف کي ڪنٽرول ڪري ٿو. جيتوڻيڪ هڪ IGBT جي وهڪري ۽ ڪٽ آف عمل نسبتاً پيچيده آهن، ان ۾ گهٽ ڪنڊڪشن وولٽيج نقصان ۽ اعلي وولٹیج رواداري شامل آهن.
- MOSFET: MOSFET ھڪڙو فيلڊ-اثر ٽرانزسٽر آھي جيڪو سيمي ڪنڊڪٽر ۾ ڪرنٽ کي گيٽ وولٽيج ذريعي ڪنٽرول ڪري ٿو. جڏهن دروازي جي وولٹیج ماخذ وولٹیج کان وڌي وڃي ٿي، هڪ conductive پرت ٺاهي ٿي، جيڪا موجوده وهڻ جي اجازت ڏئي ٿي. برعڪس، جڏهن دروازي جي وولٹیج حد کان هيٺ آهي، conductive پرت غائب ٿي، ۽ موجوده وهڪري نه ٿي سگهي. هڪ MOSFET جو آپريشن نسبتا سادو آهي، تيز سوئچنگ جي رفتار سان.
2. ايپليڪيشن جا علائقا
- IGBT: ان جي اعلي وولٹیج رواداري، گھٽ وولٹیج وولٹیج نقصان، ۽ تيز سوئچنگ ڪارڪردگي جي ڪري، IGBT خاص طور تي اعلي طاقت، گھٽ نقصان واري ايپليڪيشنن لاء مناسب آهي جهڙوڪ انورٽر، موٽر ڊرائيور، ويلڊنگ مشين، ۽ اڻ رڪاوٽ بجلي جي فراهمي (UPS) . انهن ايپليڪيشنن ۾، IGBT موثر طريقي سان اعلي وولٹیج ۽ اعلي-موجوده سوئچنگ آپريشن کي منظم ڪري ٿو.
- MOSFET: MOSFET، ان جي تيز جواب سان، اعلي ان پٽ مزاحمت، مستحڪم سوئچنگ ڪارڪردگي، ۽ گھٽ قيمت، وڏي پيماني تي استعمال ڪيو ويندو آهي گھٽ-پاور، تيز-سوئچنگ ايپليڪيشنن جهڙوڪ سوئچ موڊ پاور سپلائي، لائٽنگ، آڊيو ايمپليفائرز، ۽ منطق سرڪٽ. . MOSFET گھٽ پاور ۽ گھٽ وولٹیج ايپليڪيشنن ۾ غير معمولي طور تي سٺو ڪم ڪري ٿو.
3. ڪارڪردگي جا خاصيتون
- IGBT: IGBT اعلي وولٽيج، اعلي-موجوده ايپليڪيشنن ۾ بهتري ڪري ٿو ان جي قابليت جي ڪري گھٽ ڪنڪشن نقصانن سان اهم طاقت کي سنڀالڻ جي صلاحيت، پر ان ۾ MOSFETs جي مقابلي ۾ سست سوئچنگ جي رفتار آهي.
- MOSFET: MOSFETs تيز سوئچنگ اسپيڊ، گھٽ وولٽيج ايپليڪيشنن ۾ اعلي ڪارڪردگي، ۽ اعلي سوئچنگ فريکوئنسيز تي گھٽ پاور نقصانن جي خصوصيت آھن.
4. مٽاسٽا
IGBT ۽ MOSFET ٺاهيا ويا آهن ۽ مختلف مقصدن لاءِ استعمال ڪيا ويا آهن ۽ عام طور تي مٽائي نٿا سگهجن. جنهن ڊوائيس جو انتخاب استعمال ڪرڻ جو دارومدار مخصوص ايپليڪيشن، ڪارڪردگي جي گهرج، ۽ قيمت تي غور ڪرڻ تي آهي.
نتيجو
IGBT ۽ MOSFET ڪم ڪندڙ اصول، ايپليڪيشن جي علائقن، ۽ ڪارڪردگي جي خاصيتن جي لحاظ کان خاص طور تي مختلف آهن. انھن اختلافن کي سمجھڻ ۾ مدد ملندي آھي موزون ڊيوائس چونڊڻ لاءِ پاور اليڪٽرونڪس ڊيزائن لاءِ، يقيني بڻائڻ لاءِ بھترين ڪارڪردگي ۽ قيمتي ڪارڪردگي.
پوسٽ جو وقت: سيپٽمبر-21-2024
