MOSFET پيڪيج جي چونڊ لاءِ ھدايتون

ٻيو، سسٽم جي حدن جي ماپ

ڪجهه اليڪٽرانڪ سسٽم پي سي بي ۽ اندروني جي سائيز تائين محدود آهن اوچائي، سuch جيئن ڪميونيڪيشن سسٽم، اونچائي جي حدن جي ڪري ماڊلر پاور سپلائي عام طور تي استعمال ڪريو DFN5 * 6، DFN3 * 3 پيڪيج؛ ڪجهه ACDC پاور سپلائي ۾، الٽرا پتلي ڊيزائن جي استعمال يا شيل جي حدن جي ڪري، طاقت MOSFET فوٽ جي TO220 پيڪيج جي اسيمبلي سڌي طرح اونچائي جي حدن جي روٽ ۾ داخل ٿيل TO247 پيڪيج استعمال نه ڪري سگهي. ڪجھ الٽرا پتلي ڊيزائن سڌو سنئون ڊوائيس جي پنن کي فليٽ موڙيندي، ھي ڊيزائن جي پيداوار جو عمل پيچيده ٿي ويندو.

ٽيون، ڪمپني جي پيداوار جي عمل

TO220 پيڪيج جا ٻه قسم آهن: ننگي ڌاتو پيڪيج ۽ مڪمل پلاسٽڪ پيڪيج، ننگي ڌاتو پيڪيج حرارتي مزاحمت ننڍڙو آهي، گرمي جي ضايع ڪرڻ جي صلاحيت مضبوط آهي، پر پيداوار جي عمل ۾، توهان کي موصليت جي ڦوٽو شامل ڪرڻ جي ضرورت آهي، پيداوار جو عمل پيچيده ۽ قيمتي آهي، جڏهن ته مڪمل پلاسٽڪ پيڪيج حرارتي مزاحمت وڏي آهي، گرمي جي ضايع ڪرڻ جي صلاحيت ڪمزور آهي، پر پيداوار جو عمل سادو آهي.

اسڪرو کي تالا لڳائڻ جي مصنوعي عمل کي گھٽائڻ لاء، تازن سالن ۾، ڪجهه اليڪٽرانڪ سسٽم ڪلپس استعمال ڪندي پاورMOSFETs جي گرمي پد ۾ clamped، ته جيئن روايتي TO220 حصو جي اوچائي جي اوچائي ۾ سوراخ encapsulation جي نئين صورت ۾ ختم ڪرڻ جي، پر به اوزار جي اوچائي کي گهٽائڻ لاء.

چوٿون، قيمت ڪنٽرول

ڪجھ انتهائي حساس ايپليڪيشنن ۾ جهڙوڪ ڊيسڪ ٽاپ مدر بورڊ ۽ بورڊ، DPAK پيڪيجز ۾ پاور MOSFETs عام طور تي استعمال ڪيا ويندا آهن ڇاڪاڻ ته اهڙن پيڪيجز جي گهٽ قيمت جي ڪري. تنهن ڪري، جڏهن هڪ پاور MOSFET پيڪيج چونڊيو، انهن جي ڪمپني جي انداز ۽ پيداوار جي خاصيتن سان گڏ، ۽ مٿين عنصر تي غور ڪريو.

پنجون، اڪثر ڪيسن ۾ وولٽيج BVDSS کي منتخب ڪريو، ڇاڪاڻ ته ان پٽ vo جي ڊيزائناليڪٽرانڪ جي ltage سسٽم نسبتا مقرر ٿيل آهي، ڪمپني کي ڪجهه مواد نمبر جو هڪ مخصوص سپلائر چونڊيو، پيداوار جي درجه بندي وولٹیج پڻ مقرر ڪئي وئي آهي.

ڊيٽا شيٽ ۾ پاور MOSFETs جي بريڪ ڊائون وولٽيج BVDSS ٽيسٽ حالتن جي وضاحت ڪئي آهي، مختلف حالتن ۾ مختلف قدرن سان، ۽ BVDSS وٽ هڪ مثبت گرمي پد جي کوٽ آهي، انهن عنصرن جي ميلاپ جي حقيقي درخواست ۾ هڪ جامع انداز ۾ غور ڪيو وڃي.

گهڻو ڪري ڄاڻ ۽ ادب جو ذڪر ڪيو ويو آهي: جيڪڏهن طاقت جو نظام MOSFET VDS جي بلند ترين اسپائڪ وولٽيج جي جيڪڏهن BVDSS کان وڌيڪ هجي، جيتوڻيڪ اسپائڪ پلس وولٽيج جو مدو صرف چند يا ڏهن اين ايس جي آهي، طاقت MOSFET برفاني طوفان ۾ داخل ٿيندي. ۽ اهڙي طرح نقصان ٿئي ٿو.

ٽرانسسٽرز ۽ IGBT جي برعڪس، پاور MOSFETs ۾ برفاني طوفان کي مزاحمت ڪرڻ جي صلاحيت هوندي آهي، ۽ ڪيتريون ئي وڏيون سيمي ڪنڊڪٽر ڪمپنيون پاور MOSFET برفاني توانائي جي پيداوار واري لائن ۾ مڪمل معائنو، 100٪ پتو لڳائڻ آهي، اهو آهي، ڊيٽا ۾ اها گارنٽي ماپ آهي، برفاني وولٹیج. عام طور تي BVDSS جي ڀيٽ ۾ 1.2 ~ 1.3 ڀيرا ٿئي ٿو، ۽ وقت جو عرصو عام طور تي μs، حتي ms ليول، پوءِ صرف چند يا ڏهن اين ايس جو عرصو، avalanche voltage spike pulse voltage جي ڀيٽ ۾ تمام گھٽ، پاور MOSFET کي نقصان نه پهتو آهي.

ڇهه، ڊرائيو وولٹیج جي چونڊ VTH طرفان

پاور MOSFETs جي مختلف اليڪٽرانڪ سسٽم جي چونڊيل ڊرائيو وولٽيج ساڳي ناهي، AC / DC پاور سپلائي عام طور تي 12V ڊرائيو وولٽيج استعمال ڪندي آهي، نوٽ بڪ جي مدر بورڊ DC / DC ڪنورٽر 5V ڊرائيو وولٽيج استعمال ڪندي آهي، تنهنڪري سسٽم جي ڊرائيو وولٹیج جي مطابق مختلف حد وولٹیج کي چونڊڻ لاء. VTH پاور MOSFETs.

ڊيٽا شيٽ ۾ پاور MOSFETs جي حد وولٹیج VTH پڻ ٽيسٽ حالتن جي وضاحت ڪئي آهي ۽ مختلف حالتن ۾ مختلف قدر آهن، ۽ VTH وٽ هڪ منفي درجه حرارت جي کوٽائي آهي. مختلف ڊرائيو وولٽيجز VGS مختلف آن-مزاحمتن سان ملن ٿيون، ۽ عملي ايپليڪيشنن ۾ اهو ضروري آهي ته درجه حرارت کي حساب ۾ رکيو وڃي.

عملي ايپليڪيشنن ۾، گرمي پد جي مختلف تبديلين کي ڌيان ۾ رکڻ گهرجي انهي کي يقيني بڻائڻ لاءِ ته پاور MOSFET مڪمل طور تي آن آهي، جڏهن ته ساڳئي وقت انهي ڳالهه کي يقيني بڻايو وڃي ته شٽ ڊائون جي عمل دوران G-قطب سان جڙيل اسپائڪ پلس کي غلط ٽريگرنگ ذريعي ٽرگر نه ڪيو ويندو. هڪ سڌي ذريعي يا شارٽ سرڪٽ پيدا ڪريو.