ڇا توهان MOSFET جي ارتقاء بابت ڄاڻو ٿا؟

I. ابتدائي تصور ۽ تفسير

تجويز ڪيل تصور:MOSFET جي ايجاد کي 1830 جي ڏهاڪي تائين واپس ڳولي سگهجي ٿو، جڏهن فيلڊ اثر ٽرانسسٽر جو تصور جرمن ليلين فيلڊ پاران متعارف ڪرايو ويو هو. بهرحال، هن عرصي دوران ڪوششون هڪ عملي MOSFET کي سمجهڻ ۾ ڪامياب نه ٿيون.

هڪ ابتدائي مطالعو:ان کان پوءِ، بيل ليبز آف دي شا ٽيڪي (شاڪلي) ۽ ٻين پڻ فيلڊ اثر ٽيوب جي ايجاد جو مطالعو ڪرڻ جي ڪوشش ڪئي، پر ان ۾ ناڪامي ٿي. بهرحال، انهن جي تحقيق MOSFET جي بعد ۾ ترقي لاء بنياد رکي.

II. MOSFETs جي پيدائش ۽ ابتدائي ترقي

اهم پيش رفت:1960 ۾، Kahng ۽ Atalla اتفاقي طور تي MOS فيلڊ اثر ٽرانزسٽر (مختصر لاءِ MOS ٽرانزسٽر) ايجاد ڪيو جنهن ۾ سلڪون ڊاءِ آڪسائيڊ (SiO2) سان بائيپولر ٽرانزسٽرز جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائڻ جي عمل ۾. هن ايجاد MOSFETs جي باضابطه داخل ٿيڻ جو نشان لڳايو انٽيگريٽيڊ سرڪٽ جي پيداوار واري صنعت ۾.

ڪارڪردگي وڌائڻ:سيمڪڊڪٽر پروسيسنگ ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، MOSFETs جي ڪارڪردگي بهتر ڪرڻ جاري آهي. مثال طور، اعلي وولٹیج پاور MOS جو آپريٽنگ وولٹیج 1000V تائين پهچي سگھي ٿو، گھٽ تي مزاحمت واري MOS جي مزاحمتي قيمت صرف 1 ohm آهي، ۽ آپريٽنگ فریکوئنسي جي حد DC کان ڪيترن ئي ميگاهرٽز تائين آهي.

III. MOSFETs ۽ ٽيڪنالاجي جدت جي وسيع ايپليڪيشن

وڏي پيماني تي استعمال:MOSFETs وڏي پيماني تي مختلف اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۾ استعمال ڪيا ويا آهن، جهڙوڪ مائڪرو پروسيسرز، ياداشتون، منطق سرڪٽ وغيره، انهن جي بهترين ڪارڪردگي جي ڪري. جديد اليڪٽرانڪ ڊوائيسز ۾، MOSFETs ناگزير حصن مان هڪ آهي.

ٽيڪنالاجي جدت:اعلي آپريٽنگ تعدد ۽ اعلي طاقت جي سطح جي ضرورتن کي پورو ڪرڻ لاء، IR پهريون پاور MOSFET ترقي ڪئي. تنهن کان پوء، ڪيترن ئي نئين قسم جا پاور ڊوائيسز متعارف ڪرايا ويا آهن، جهڙوڪ IGBTs، GTOs، IPMs، وغيره، ۽ لاڳاپيل شعبن ۾ وڌيڪ ۽ وڏي پيماني تي استعمال ڪيا ويا آهن.

مواد جي جدت:ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، MOSFETs جي ٺاھڻ لاء نئين مواد ڳولي رھيا آھن؛ مثال طور، سلڪون ڪاربائيڊ (SiC) مواد انهن جي اعليٰ طبعي خاصيتن جي ڪري توجه ۽ تحقيق حاصل ڪرڻ شروع ڪري رهيا آهن. SiC مواد ۾ روايتي Si مواد جي مقابلي ۾ وڌيڪ حرارتي چالکائي ۽ منع ٿيل بينڊوڊٿ آهي، جيڪي انهن جي شاندار خاصيتن جو تعين ڪن ٿيون جهڙوڪ اعلي موجوده کثافت، اعلي خرابي جي ميدان جي طاقت، ۽ اعلي آپريٽنگ گرمي پد.

چوٿون، MOSFET جي جديد ٽيڪنالاجي ۽ ترقي جي هدايت

ڊبل گيٽ ٽرانسسٽر:MOSFETs جي ڪارڪردگي کي وڌيڪ بهتر ڪرڻ لاء ڊبل گيٽ ٽرانسسٽر ٺاهڻ لاء مختلف ٽيڪنالاجيون ڪوششون ڪيون ويون آهن. ڊبل گيٽ MOS ٽرانزسٽرز وٽ سنگل دروازي جي مقابلي ۾ بهتر ڇڪتاڻ آهي، پر انهن جي ڇڪڻ جي صلاحيت اڃا تائين محدود آهي.

مختصر خندق اثر:MOSFETs لاء هڪ اهم ترقي جي هدايت مختصر-چينل اثر جي مسئلي کي حل ڪرڻ آهي. شارٽ چينل اثر ڊوائيس جي ڪارڪردگي جي وڌيڪ بهتري کي محدود ڪندو، تنهنڪري اهو ضروري آهي ته هن مسئلي تي قابو پائڻ لاءِ ماخذ ۽ نالن جي علائقن جي جنڪشن جي کوٽائي کي گهٽائي، ۽ ماخذ ۽ ڊرين PN جنڪشن کي ميٽل-سيمڪنڊڪٽر رابطن سان تبديل ڪري.