MOSFET جي غير موثريت جي سببن جو تجزيو

1، وولٹیج جي ناڪامي کي اڪثر چيو ويندو آهي ته BVdss وولٹیج جي ماخذ جي وچ ۾ رسي وڃڻ، ماسفيٽ جي درجه بندي ٿيل وولٹیج کان وڌيڪ آهي، ۽ ماسفيٽ جي ناڪامي جي اڳواڻي ڪرڻ جي هڪ خاص صلاحيت کان وڌيڪ.

2، موجوده ناڪامي جيڪا mosfet محفوظ ڪم ڪندڙ رينج کان وڌيڪ آهي ۽ غلط، جنهن کي Id ۾ ورهايو ويو آهي ڊوائيس جي وضاحتن کان وڌيڪ آهي ۽ ان جي Id جي ڪري پيدا ٿيل ناڪامي تمام وڏي آهي، اعلي لباس ۽ آنسو جي نتيجي ۾ ڊگهي مدت جي حرارتي جمع ٿيڻ جي نتيجي ۾. ڊوائيس ۽ ناڪامي.

3، پل ۾، ايل ايل ايل ۽ ٻين اثرائتي جسم ڊيوڊ کي موجوده ٽوپيولوجي کي کڻڻ لاء، ڇاڪاڻ ته جسم جي ڊيوڊ کي تباهه ڪيو ويو آهي ۽ غلط.

4، متوازي ايپليڪيشن جي عمل ۾، دروازي سان گڏ سرڪٽ پارسياتي پيٽرولن جي وهڪري جي ڪري گونج جي ناڪامي جو سبب بڻجندي.

5، خشڪ ماحول ۾، ڇاڪاڻ ته انساني جسم ۽ سامان ۽ ڊوائيس ذريعي ٺاهيل جامد بجلي جامد غير موثر ٿي ويندي.

6. دروازي تي غير معمولي آپريٽنگ وولٽيج جي چوٽي جي ڪري دروازي جي وولٹیج غلط آهي.

مٿي ڄاڻايل آهيMOSFETناڪامي جي سببن جو تجزيو، اسان لاڳاپيل پروسيسنگ عملن کي ٺاهيندا آهيون، ٻيا مسئلا آهن اسان کي آن لائن Guanhua Weiye ڪمپني سان صلاح ڪرڻ لاء ڀليڪار، توهان کي موثر جواب ۽ معيار جي خدمت جي رويي سان مهيا ڪري سگهو ٿا.
اولوڪيڪمپني کي ڪريڊٽ جي بقا، "معيار پهريون، خدمت پهريون" مقصد جي پيروي ڪندي ۽ اندرون ۽ ٻاهرين ڪيترن ئي اعلي ٽيڪنالاجي ادارن، اصل ڪارخانو هڪ سٺو ڪم ڪندڙ تعلق قائم ڪرڻ، تقسيم ۾ ڪيترن ئي سالن جي پيشه ورانه تجربو سان، سٺي ڪريڊٽ سان، شاندار خدمت، اعتماد ۽ حمايت جي وسيع رينج تائين رسائي.