MOSFET گرمي جي پيداوار جي اهم سببن جو تجزيو

N قسم، P قسم MOSFET جو ڪم جو اصول ساڳيو آهي، MOSFET بنيادي طور تي دروازي جي وولٽيج جي ان پٽ پاسي ۾ شامل ڪيو ويندو آهي ڪاميابيءَ سان ڊرين ڪرنٽ جي آئوٽ پٽ سائڊ کي ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ، MOSFET هڪ وولٽيج ڪنٽرول ڊيوائس آهي، وولٽيج ذريعي شامل ڪئي وئي. ڊيوائس جي خاصيتن کي ڪنٽرول ڪرڻ لاءِ دروازي ڏانهن، چارج جي ڪري بنيادي ڪرنٽ جي ڪري سوئچنگ ٽائيم ڪرڻ لاءِ ٽريوڊ جي برعڪس اسٽوريج اثر، سوئچنگ ايپليڪيشنن ۾، MOSFET جي سوئچنگ ايپليڪيشنن ۾،MOSFET جي سوئچنگ جي رفتار triode جي ڀيٽ ۾ تيز آهي.

سوئچنگ پاور سپلائي ۾، عام طور تي استعمال ٿيل MOSFET اوپن ڊرين سرڪٽ، ڊرين کي لوڊ سان ڳنڍيل آهي جيئن ته، اوپن ڊرين، اوپن ڊرين سرڪٽ سڏيو ويندو آهي، لوڊ ان سان ڳنڍيل آهي ڪيترو وولٹیج، آن ڪرڻ جي قابل آهن، بند ڪرڻ جي قابل آهن. لوڊ ڪرنٽ، هڪ مثالي اينالاگ سوئچنگ ڊيوائس آهي، جيڪو ڊوائيسز کي سوئچ ڪرڻ لاءِ MOSFET جو اصول آهي، MOSFET وڌيڪ سرڪٽ جي صورت ۾ سوئچنگ ڪرڻ لاء.

سوئچنگ پاور سپلائي ايپليڪيشنن جي شرطن ۾، هن ايپليڪيشن جي ضرورت آهي MOSFETs وقتي طور تي هلائڻ، بند ڪرڻ، جهڙوڪ DC-DC پاور سپلائي عام طور تي بنيادي بڪ ڪنورٽر ۾ استعمال ٿيندي آهي سوئچنگ فنڪشن انجام ڏيڻ لاءِ ٻن MOSFETs تي ڀاڙين ٿا، اهي سوئچ متبادل طور تي انڊڪٽر ۾ توانائي کي ذخيرو ڪرڻ لاءِ، توانائي کي لوڊ ڪرڻ لاءِ آزاد ڪن ٿا، اڪثر چونڊيندا آهن. سوين kHz يا ان کان به وڌيڪ 1 MHz، خاص طور تي ڇاڪاڻ ته پوءِ جيتري تعدد وڌيڪ هوندي، مقناطيسي جزا ننڍا هوندا. عام آپريشن دوران، MOSFET هڪ موصل جي برابر آهي، مثال طور، اعلي-پاور MOSFETs، ننڍي-وولٽيج MOSFETs، سرڪٽس، بجلي جي فراهمي MOS جي گھٽ ۾ گھٽ ڪنڪشن نقصان آهي.

MOSFET PDF پيرا ميٽرز، MOSFET ٺاهيندڙن ڪاميابيءَ سان RDS (ON) پيرا ميٽر کي اختيار ڪيو آهي ته جيئن آن-اسٽيٽ امپيڊنس کي واضع ڪرڻ لاءِ، سوئچنگ ايپليڪيشنن لاءِ، RDS (ON) سڀ کان اهم ڊوائيس خصوصيت آهي؛ ڊيٽا شيٽ RDS (ON) جي وضاحت ڪري ٿي، دروازي (يا ڊرائيو) وولٽيج VGS ۽ سوئچ ذريعي وهندڙ ڪرنٽ لاڳاپيل آهي، مناسب گيٽ ڊرائيو لاءِ، RDS (ON) هڪ نسبتا جامد پيٽرولر آهي؛ MOSFETs جيڪي ڪنڊڪشن ۾ آهن، گرمي پيدا ڪرڻ جو خطرو آهي، ۽ جنڪشن جي گرمي پد ۾ آهستي آهستي اضافو ٿي سگهي ٿو RDS (ON) ۾ اضافو؛MOSFET ڊيٽا شيٽ حرارتي رڪاوٽ جي ماپ کي بيان ڪن ٿا، جنهن جي وضاحت ڪئي وئي آهي MOSFET پيڪيج جي سيمي ڪنڊڪٽر جنڪشن جي گرمي کي ختم ڪرڻ جي صلاحيت، ۽ RθJC کي صرف junction-to-case Thermal impedance طور بيان ڪيو ويو آهي.

1، فریکوئنسي تمام گهڻي آهي، ڪڏهن ڪڏهن حجم کي وڌيڪ تعاقب ڪندي، سڌو سنئون تيز تعدد ڏانهن وڌندو، نقصان تي MOSFET وڌندو، وڌيڪ گرمي، مناسب گرمي جي ضايع ڪرڻ واري ڊيزائن جو سٺو ڪم نه ڪريو، اعلي موجوده، نامياري MOSFET جي موجوده قيمت، حاصل ڪرڻ جي قابل ٿيڻ لاء سٺي گرمي جي تقسيم جي ضرورت؛ ID وڌ ۾ وڌ موجوده کان گهٽ آهي، ٿي سگهي ٿو سنگين گرمي، مناسب معاون heatsinks جي ضرورت آهي.

2، MOSFET چونڊ غلطيون ۽ طاقت جي فيصلي ۾ غلطيون، MOSFET اندروني مزاحمت کي مڪمل طور تي نه سمجهيو ويندو آهي، سڌو سنئون سوئچنگ رڪاوٽ کي وڌائيندو، جڏهن MOSFET حرارتي مسئلن سان معاملو ڪندي.

3، سرڪٽ ڊيزائن جي مسئلن جي ڪري، گرميء جي نتيجي ۾، انهي ڪري ته MOSFET هڪ لڪير آپريٽنگ حالت ۾ ڪم ڪري ٿو، نه سوئچنگ حالت ۾، جيڪو MOSFET حرارتي جو سڌي طرح سبب آهي، مثال طور، N-MOS سوئچنگ، G- ليول وولٽيج کي بجلي جي فراهمي کان وڌيڪ هجڻ گهرجي ڪجهه V طرفان، مڪمل طور تي هلائڻ جي قابل ٿيڻ لاء، P-MOS مختلف آهي؛ مڪمل طور تي کليل نه هجڻ جي صورت ۾، وولٽيج ڊراپ تمام وڏو آهي، جنهن جي نتيجي ۾ بجلي جو استعمال ٿيندو، برابر ڊي سي جي رڪاوٽ وڏي هوندي، وولٽيج ڊراپ پڻ وڌندو، U * I به وڌندو، نقصان گرميء جي سبب ٿيندو.