پاور MOSFET جي ڪم ڪندڙ اصول بابت

پاور MOSFETs ٻن مکيه طريقن سان ڪم ڪن ٿا:

(1) جڏهن هڪ مثبت وولٽيج D ۽ S ۾ شامل ڪيو وڃي ٿو (ڊرين مثبت، ذريعو منفي) ۽ UGS = 0، PN جنڪشن P body علائقي ۾ ۽ N drain علائقي ۾ ريورس باصلاحيت آهي، ۽ D جي وچ ۾ ڪوبه موجوده گذرڻ نه آهي. ۽ S. جيڪڏهن G ۽ S جي وچ ۾ هڪ مثبت وولٽيج UGS شامل ڪيو وڃي، ته دروازي تي ڪو به ڪرنٽ نه وهندو ڇو ته دروازي کي موصل آهي، پر دروازي تي هڪ مثبت وولٽيج ٿيندو. سوراخن کي P علائقي جي ھيٺان پري ڌڪيو، ۽ اقليتي ڪيريئر اليڪٽران P علائقي جي مٿاڇري ڏانھن متوجه ٿي ويندا جڏھن UGS ھڪ خاص وولٹیج UT کان وڌيڪ ھوندو، ته دروازي جي ھيٺان P علائقي جي مٿاڇري تي اليڪٽران ڪنسنٽريشن کان وڌي ويندو. سوراخ ڪنسنٽريشن، اهڙيءَ طرح P-type سيميڪنڊڪٽر اينٽي پيٽرن پرت N-type سيمڪنڊڪٽر ٺاهيندي؛ هي اينٽي پيٽرن پرت هڪ N-قسم جي چينل کي ماخذ ۽ نالن جي وچ ۾ ٺاهيندي آهي، انهي ڪري ته PN جنڪشن غائب ٿي وڃي، ذريعو ۽ drain conductive، ۽ هڪ drain current ID نالي ذريعي وهندو آهي. UT کي ٽرن آن وولٽيج يا حد جي وولٽيج سڏيو ويندو آهي، ۽ جيترو وڌيڪ UGS UT کان وڌي ٿو، وڌيڪ موصليت واري صلاحيت آهي، ۽ وڏي ID آهي. جيترو وڏو UGS UT کان وڌي ٿو، اوتري مضبوط چالاڪ، وڌيڪ ID.

(2) جڏهن ڊي، ايس پلس ناڪاري وولٽيج (ذريعو مثبت، ڊرين ناڪاري)، PN جنڪشن اڳتي وڌندو آهي، هڪ اندروني ريورس ڊيوڊ جي برابر هوندو آهي (جنهن ۾ تيز ردعمل جون خاصيتون نه هونديون آهن)، اهو آهي،MOSFET ريورس بلاڪ ڪرڻ جي صلاحيت نه آهي، هڪ inverse conduction اجزاء طور سمجهي سگهجي ٿو.

    جي طرفانMOSFET آپريشن جي اصول کي ڏسي سگھجي ٿو، ان جي وهڪري ۾ صرف هڪ پولارٽي ڪيريئر شامل آهي، جنهن کي يونيپولر ٽرانزسٽر پڻ سڏيو ويندو آهي. MOSFET ڊرائيو اڪثر ڪري پاور سپلائي IC ۽ MOSFET پيرا ميٽرز تي ٻڌل آهي مناسب سرڪٽ کي چونڊڻ لاء، MOSFET عام طور تي سوئچنگ لاء استعمال ڪيو ويندو آهي. پاور سپلائي ڊرائيو سرڪٽ. جڏهن MOSFET استعمال ڪندي هڪ سوئچنگ پاور سپلائي ڊزائين ڪرڻ، اڪثر ماڻهو MOSFET جي مزاحمت، وڌ ۾ وڌ وولٹیج، ۽ وڌ ۾ وڌ ڪرنٽ تي غور ڪندا آهن. بهرحال، ماڻهو اڪثر ڪري صرف انهن فڪر تي غور ڪن ٿا، انهي ڪري ته سرڪٽ صحيح طريقي سان ڪم ڪري سگهي ٿو، پر اهو سٺو ڊزائين حل ناهي. وڌيڪ تفصيلي ڊيزائن لاء، MOSFET کي پڻ پنهنجي پيٽرولر جي معلومات تي غور ڪرڻ گهرجي. هڪ خاص MOSFET لاءِ، ان جو ڊرائيونگ سرڪٽ، ڊرائيو آئوٽ پٽ جو چوٽي موجوده، وغيره، MOSFET جي سوئچنگ ڪارڪردگي کي متاثر ڪندو.