WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

مختصر وضاحت:

ماڊل نمبر:WSF4022

BVDSS:40V

RDSON:21mΩ

ID:20A

چئنل:ڊبل اين چينل

پيڪيج:TO-252-4L

پيداوار جو خلاصو:WSF30150 MOSFET جو وولٹیج 40V آهي، موجوده 20A آهي، مزاحمت 21mΩ آهي، چينل ڊبل اين-چينل آهي، ۽ پيڪيج TO-252-4L آهي.

درخواستون:اي سگريٽ، وائرليس چارجنگ، موٽرز، ايمرجنسي پاور سپلاءِ، ڊرونز، طبي سنڀال، ڪار چارجرز، ڪنٽرولرز، ڊجيٽل پروڊڪٽس، ننڍڙا گهرو سامان، ڪنزيومر اليڪٽرانڪس.

اسان کي اي ميل موڪليو PDF

پيداوار جي تفصيل

درخواست

پراڊڪٽ ٽيگ

عام وضاحت

WSF4022 اعليٰ ترين ڪارڪردگي واري خندق Dual N-Ch MOSFET انتهائي اعليٰ سيل جي کثافت سان آهي، جيڪا اڪثر هم وقت ساز بڪ ڪنورٽر ايپليڪيشنن لاءِ بهترين RDSON ۽ گيٽ چارج فراهم ڪري ٿي. WSF4022 RoHS ۽ گرين پراڊڪٽ جي گهرج پوري ڪري ٿو 100٪ EAS مڪمل فنڪشن سان ضمانت. اعتبار جي منظوري ڏني وئي.

خاصيتون

فين پري ڊرائيور ايڇ برج، موٽر ڪنٽرول، هم وقت سازي جي اصلاح، اي سگريٽ، وائرليس چارجنگ، موٽرز، ايمرجنسي پاور سپلاءِ، ڊرون، طبي سنڀال، ڪار چارجرز، ڪنٽرولرز، ڊجيٽل پراڊڪٽس، ننڍڙا گهرو سامان، ڪنزيومر اليڪٽرانڪس.

درخواستون

ملندڙ مواد جو تعداد

AOS

اهم پيراگراف

علامت	پيرا ميٽر		درجه بندي	يونٽس
وي ڊي ايس	ڊرين-ذريعو وولٹیج		40	V
وي جي ايس	گيٽ-ذريعو وولٹیج		±20	V
ID	ڊرين ڪرنٽ (مسلسل) *AC	TC = 25 ° سي	20*	A
ID	ڊرين ڪرنٽ (مسلسل) *AC	TC = 100 ° سي	20*	A
ID	ڊرين ڪرنٽ (مسلسل) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	ڊرين ڪرنٽ (مسلسل) *AC	TA=70°C	10.2	A
IDMA	نبض ٿيل پاڻي جو وهڪرو	TC = 25 ° سي	80*	A
اي ايس بي	اڪيلو نبض برفاني توانائي	ايل = 0.5 ايم ايڇ	25	mJ
IAS ب	برفاني طوفان	ايل = 0.5 ايم ايڇ	17.8	A
PD	وڌ ۾ وڌ پاور ڊسڪشن	TC = 25 ° سي	39.4	W
PD	وڌ ۾ وڌ پاور ڊسڪشن	TC = 100 ° سي	19.7	W
PD	بجلي جي ضايع ٿيڻ	TA=25°C	6.4	W
PD	بجلي جي ضايع ٿيڻ	TA=70°C	4.2	W
TJ	آپريٽنگ جنڪشن جي درجه حرارت جي حد		175	℃
ٽي ايس ٽي جي	آپريٽنگ جي درجه حرارت / اسٽوريج جي درجه حرارت		-55~175	℃
آر جي اي بي	حرارتي مزاحمتي جنڪشن- محيط	مستحڪم رياست <c	60	℃/W
آر جي سي	حرارتي مزاحمتي جنڪشن کي ڪيس		3.8	℃/W

علامت	پيرا ميٽر	حالتون	منٽ.	ٽائيپ.	وڌ.	يونٽ
جامد
V(BR)DSS	ڊرين-ذريعو بريڪ ڊائون وولٽيج	VGS = 0V، ID = 250μA	40			V
IDSS	زيرو گيٽ وولٽيج ڊرين ڪرنٽ	VDS = 32V، VGS = 0V			1	µA
IDSS	زيرو گيٽ وولٽيج ڊرين ڪرنٽ	VDS = 32V، VGS = 0V، TJ = 85 °C			30	µA
آئي جي ايس ايس	گيٽ ليڪيج ڪرنٽ	VGS = ±20V، VDS = 0V			±100	nA
VGS(th)	گيٽ جي حد وولٹیج	VGS = VDS، IDS = 250µA	1.1	1.6	2.5	V
آر ڊي ايس (آن) ڊي	ڊرين-ذريعو تي رياستي مزاحمت	VGS = 10V، ID = 10A		16	21	mΩ
آر ڊي ايس (آن) ڊي	ڊرين-ذريعو تي رياستي مزاحمت	VGS = 4.5V، ID = 5A		18	25	mΩ
گيٽ چارج
Qg	ڪل گيٽ چارج	VDS=20V،VGS=4.5V، ID=10A		7.5		nC
Qgs	گيٽ-ذريعو چارج			3.24		nC
جي جي ڊي	گيٽ-ڊرين چارج			2.75		nC
ڊيناميس
سيس	ان پٽ گنجائش	VGS=0V، VDS=20V، f=1MHz		815		pF
ڪوس	پيداوار جي گنجائش			95		pF
Crss	ريورس منتقلي جي گنجائش			60		pF
td (آن)	موڙ تي دير جو وقت	VDD = 20V، VGEN = 10V، IDS=1A،RG=6Ω،RL=20Ω.		7.8		ns
tr	اڀرڻ جو وقت			6.9		ns
ٽي ڊي (بند)	بند ڪرڻ جي دير جو وقت			22.4		ns
tf	بند ٿيڻ جو وقت			4.8		ns
ڊيوڊ
وي ايس ڊي ڊي	ڊيوڊ فارورڊ وولٽيج	ISD=1A، VGS=0V		0.75	1.1	V
ٽر	ان پٽ گنجائش	IDS=10A، dlSD/dt=100A/µs		13		ns
Qrr	پيداوار جي گنجائش	IDS=10A، dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC