WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

حصو نمبر:WSD80130DN56

BVDSS:80V

سڃاڻپ:130A

RDSON:2.7mΩ

چئنل:اين چينل

پيڪيج:DFN5X6-8

اسان کي اي ميل موڪليو PDF

پيداوار جي تفصيل

WSD80130DN56 MOSFET جو وولٹیج 80V آهي، موجوده 130A آهي، مزاحمت 2.7mΩ آهي، چينل اين-چينل آهي، ۽ پيڪيج DFN5X6-8 آهي.

ڊرون MOSFET، موٽر MOSFET، ميڊيڪل MOSFET، پاور اوزار MOSFET، ESCs MOSFET.

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

علامت	پيرا ميٽر	درجه بندي	يونٽس
وي ڊي ايس	ڊرين-ذريعو وولٹیج	80	V
وي جي ايس	گيٽ- سوrسي وولٽيج	±20	V
TJ	وڌ ۾ وڌ جنڪشن جي درجه حرارت	150	°C
ID	اسٽوريج جي درجه حرارت جي حد	-55 کان 150 تائين	°C
ID	مسلسل خشڪي وارو وهڪرو، وي_GS= 10V، ٽي_C= 25°C	130	A
ID	مسلسل خشڪي وارو وهڪرو، وي_GS= 10V، ٽي_C= 70 ڊگري سينٽي گريڊ	89	A
IDM	پلس ڊرين ڪرنٽ، ٽي_C= 25°C	400	A
P_D	وڌ ۾ وڌ پاور ڊسپيشن، ٽي_C= 25°C	200	W
RqJC	حرارتي مزاحمت- جنڪشن کي ڪيس	1.25	°C

علامت	پيرا ميٽر	حالتون	منٽ.	ٽائيپ.	وڌ.	يونٽ
BV_{ڊي ايس ايس}	ڊرين-ذريعو بريڪ ڊائون وولٽيج	V_GS= 0V، I_D= 250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{ڊي ايس ايس}درجه حرارت جي کوٽائي	25 جو حوالو℃، آء_D= 1 ايم اي	---	0.043	---	V/℃
RDS (ON)	جامد ڊرين-ذريعو-مزاحمت²	VGS = 10V، I_D= 40A	---	2.7	3.6	mΩ
VGS(th)	گيٽ جي حد وولٹیج	V_GS=V_DS، آء_D= 250uA	2.0	3.0	4.0	V
△V_GS(th)	V_GS(th)درجه حرارت جي کوٽائي	V_GS=V_DS، آء_D= 250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 48V، V_GS= 0V، ٽي_J= 25℃	---	---	2	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 48V، V_GS= 0V، ٽي_J= 55℃	---	---	10	uA
آئي جي ايس ايس	گيٽ-ذريعو لڪيج ڪرنٽ	V_GS=±20V، V_DS= 0V	---	---	±100	nA
Q_g	ڪل گيٽ چارج (10V)	V_DS= 30V، V_GS= 10V، I_D= 30A	---	48.6	---	nC
Q_gs	گيٽ-ذريعو چارج		---	17.5	---
Q_gd	گيٽ-ڊرين چارج		---	10.4	---
ٽي ڊي (تي)	موڙ تي دير جو وقت	V_DD= 30V، V_GS= 10V، R_G= 2.5Ω، آء_D=2A،RL=15Ω.	---	20	---	ns
T_r	اڀرڻ جو وقت		---	10	---
ٽي ڊي (بند)	بند ڪرڻ جي دير جو وقت		---	35	---
T_f	زوال جو وقت		---	12	---
C_iss	ان پٽ گنجائش	V_DS= 25V، V_GS=0V، f=1MHz	---	4150	---	pF
ڪوس	پيداوار جي گنجائش		---	471	---
C_{آر ايس ايس}	ريورس منتقلي جي گنجائش		---	20	---