WSD30L88DN56 Dual P-channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

مختصر وضاحت:

ماڊل نمبر:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11.5mΩ

ID:-49A

چئنل:ڊبل پي چينل

پيڪيج:DFN5*6-8

پيداوار جو خلاصو:WSD30L88DN56 MOSFET جو وولٹیج -30V آھي، موجوده آھي-49A، مزاحمت آھي 11.5mΩ، چينل آھي Dual P-channel، ۽ پيڪيج آھي DFN5*6-8.

درخواستون:اي سگريٽ، وائرليس چارجنگ، موٽر، ڊرون، طبي سنڀال، ڪار چارجرز، ڪنٽرولرز، ڊجيٽل پراڊڪٽس، ننڍو گهرو سامان، صارف اليڪٽرانڪس.

اسان کي اي ميل موڪليو PDF

پيداوار جي تفصيل

درخواست

پراڊڪٽ ٽيگ

عام وضاحت

WSD30L88DN56 اعليٰ ترين ڪارڪردگي خندق Dual P-Ch MOSFET انتهائي اعليٰ سيل جي کثافت سان آهي، جيڪا بهترين RDSON ۽ گيٽ چارج مهيا ڪري ٿي اڪثر هم وقت ساز بڪ ڪنورٽر ايپليڪيشنن لاءِ.WSD30L88DN56 RoHS ۽ گرين پراڊڪٽ جي گهرج کي پورو ڪري ٿو 100٪ EAS جي ضمانت سان مڪمل ڪارڪردگي جي تصديق سان.

خاصيتون

ترقي يافته هاء سيل ڊينسٽي ٽينچ ٽيڪنالاجي ， سپر لو گيٽ چارج ， بهترين سي ڊي وي / ڊي ٽي اثر رد ， 100٪ EAS گارنٽي ， گرين ڊيوائس دستياب.

درخواستون

هاء فريڪوئنسي پوائنٽ آف لوڊ سنڪرونس، بڪ ڪنورٽر لاءِ MB/NB/UMPC/VGA، نيٽ ورڪ DC-DC پاور سسٽم، لوڊ سوئچ، اي سگريٽ، وائرليس چارجنگ، موٽر، ڊرون، طبي سنڀال، ڪار چارجر، ڪنٽرولرز، ڊجيٽل پراڊڪٽس، ننڍو گهرو سامان، صارف اليڪٽرانڪس.

ملندڙ مواد جو تعداد

AOS

اهم پيراگراف

علامت	پيرا ميٽر	درجه بندي	يونٽس
وي ڊي ايس	ڊرين-ذريعو وولٹیج	-30	V
وي جي ايس	گيٽ-ذريعو وولٹیج	±20	V
ID@TC = 25℃	مسلسل خشڪي جو موجوده، VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC = 100℃	مسلسل خشڪي جو موجوده، VGS @ -10V1	-23	A
IDM	پلسڊ ڊرين ڪرنٽ 2	-120	A
اي ايس	اڪيلو نبض برفاني توانائي 3	68	mJ
PD@TC = 25℃	ڪل پاور ڊسپيشن 4	40	W
ٽي ايس ٽي جي	اسٽوريج جي درجه حرارت جي حد	-55 کان 150 تائين	℃
TJ	آپريٽنگ جنڪشن جي درجه حرارت جي حد	-55 کان 150 تائين	℃