WSD100N15DN56G اين چينل 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

حصو نمبر:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

سڃاڻپ:100A

RDSON:6mΩ

چئنل:اين چينل

پيڪيج:DFN5X6-8

اسان کي اي ميل موڪليو PDF

پيداوار جي تفصيل

WSD100N15DN56G MOSFET جو وولٹیج 150V آهي، موجوده 100A آهي، مزاحمت 6mΩ آهي، چينل اين-چينل آهي، ۽ پيڪيج DFN5X6-8 آهي.

ميڊيڪل پاور سپلائيز MOSFET، PDs MOSFET، ڊرون MOSFET، اليڪٽرانڪ سگريٽ MOSFET، وڏيون شيون MOSFET، ۽ پاور اوزار MOSFET.

علامت	پيرا ميٽر	درجه بندي	يونٽس
وي ڊي ايس	ڊرين-ذريعو وولٹیج	150	V
وي جي ايس	گيٽ-ذريعو وولٹیج	±20	V
ID	مسلسل خشڪي وارو وهڪرو، وي_GS@ 10V (ٽي_C= 25 ℃)	100	A
IDM	نبض ٿيل پاڻي جو وهڪرو	360	A
اي ايس	اڪيلو نبض برفاني توانائي	400	mJ
P_D	ڪل پاور ڊسپيشن..._C= 25 ℃)	160	W
آر جي	حرارتي مزاحمت، جنڪشن-ماحول	62	℃/W
آر جي سي	حرارتي مزاحمت، جنڪشن ڪيس	0.78	℃/W
ٽي ايس ٽي جي	اسٽوريج جي درجه حرارت جي حد	-55 کان 175 تائين	℃
T_J	آپريٽنگ جنڪشن جي درجه حرارت جي حد	-55 کان 175 تائين	℃

علامت	پيرا ميٽر	حالتون	منٽ.	ٽائيپ.	وڌ.	يونٽ
BV_{ڊي ايس ايس}	ڊرين-ذريعو بريڪ ڊائون وولٽيج	V_GS= 0V، I_D= 250uA	150	---	---	V
RDS (ON)	جامد ڊرين-ذريعو-مزاحمت²	V_GS= 10V، I_D= 20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	گيٽ جي حد وولٹیج	V_GS=V_DS، آء_D= 250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 100V، V_GS= 0V، ٽي_J= 25 ℃	---	---	1	uA
آئي جي ايس ايس	گيٽ-ذريعو لڪيج ڪرنٽ	V_GS= ±20V، V_DS= 0V	---	---	±100	nA
Q_g	ڪل گيٽ چارج	V_DS= 50V، V_GS= 10V، I_D= 20A	---	66	---	nC
Q_gs	گيٽ-ذريعو چارج		---	26	---
Q_gd	گيٽ-ڊرين چارج		---	18	---
ٽي ڊي (تي)	موڙ تي دير جو وقت	V_DD= 50V،V_GS= 10 وي R_G= 2Ω، I_D= 20A	---	37	---	ns
T_r	اڀرڻ جو وقت		---	98	---
ٽي ڊي (بند)	بند ڪرڻ جي دير جو وقت		---	55	---
T_f	زوال جو وقت		---	20	---
C_iss	ان پٽ گنجائش	V_DS= 30V، V_GS=0V، f=1MHz	---	5450	---	pF
ڪوس	پيداوار جي گنجائش		---	1730	---
C_{آر ايس ايس}	ريورس منتقلي جي گنجائش		---	195	---